Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA ENABLER E2 #9249293 à vendre en France

Le réacteur AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA FACILITATEUR E2 est un outil d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) à haute performance. Il est conçu pour favoriser la croissance de matériaux en couches minces de haute qualité avec une précision et une reproductibilité sans précédent. Le réacteur E2 est doté de la structure brevetée FME (Field Modulation Expansion), qui est conçue pour augmenter la stabilité du processus de croissance en introduisant des potentiels alternatifs entre substrats. Le réacteur E2 est également doté de la technologie de contrôle de rotation du substrat (SRC) pour assurer une rotation du substrat lisse et reproductible et est compatible avec les substrats de 8 « et 4 ». Le réacteur E2 a une plage de température maximale allant jusqu'à 970 ° C et offre un analyseur d'énergie cinétique de haute précision pour détecter et analyser avec précision les échantillons de couche cultivés en MBE. De plus, le réacteur E2 permet des processus d'oxydation prolongés jusqu'à 1000 ° C avec un temps de réponse rapide. Le réacteur E2 dispose également d'un obturateur électrique programmable avancé qui peut être utilisé pour commuter entre les différentes sources de MBE disponibles sur le système. L'obturateur permet également l'utilisation simultanée de multiples sources de MBE pendant le processus de croissance. Cela permet au système d'être utilisé pour la croissance de couches multiples avec des propriétés différentes pour faciliter le développement de matériaux nouveaux et uniques. Le E2 offre un contrôle de température de haute précision avec des thermocouples avancés pour fournir un contrôle de température précis avec un temps de réponse rapide. Cette caractéristique assure un contrôle de température uniforme et répétable pour chaque processus de croissance. De plus, les réglages de régulation de température peuvent être adaptés aux différents processus de croissance. Le réacteur E2 dispose également d'une chambre spécialement conçue pour fournir un environnement basse pression adapté aux processus d'épitaxie du faisceau moléculaire. La chambre est conçue pour minimiser la contamination et peut maintenir des pressions de base allant jusqu'à 10-8 Torr. Un port de chambre facile d'accès permet aux utilisateurs d'accéder à la chambre de croissance pendant le processus. En conclusion, le réacteur AMAT CENTURA FACILITATEUR E2 est un système MBE haute performance conçu pour développer et analyser des matériaux à couches minces de haute qualité. Le réacteur dispose d'un certain nombre de technologies de pointe pour assurer des processus de croissance précis et répétables et la capacité de développer plusieurs couches avec des propriétés différentes. Son contrôle de température de haute précision et son environnement basse pression font de l'E2 un outil idéal pour les applications d'épitaxie par faisceau moléculaire.