Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Epi #9249281 à vendre en France

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ID: 9249281
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2002
System, 12" Platform type: Centura, 12" (2) Chambers System configuration: Application level 1: Reduced pressure Application level 2: Reduced pressure Chamber A: (RH3) Reduced pressure EPI Chamber B: (RH3) Reduced pressure EPI Electrical: SEMI Chamber A: Thickness control option: AccuSETT 2 Recipe control AccuSETT Lamp type: USHIO BNA8 Chamber B: Thickness control option: AccuSETT 2 Recipe control AccuSETT Lamp type: USHIO BNA8 Gas delivery Pump purge Transducer display type: SI (KPA) Single H2 leak detector Gas pallet: Slots / Chamber A / Chamber B Slot 1 / N2 / N2 Slot 2 / HCL / HCL Slot 3 / SiH4 / SiH4 Slot 5 / Si2H6 / D-DOP#1 Slot 6 / HCL / D-DOP#2 Slot 7 / DCS / DCS Slot 8 / GeH4 / GeH4 Slot 9 / M-DOP#1 / M-DOP#1 Slot 10 / M-DOP#2 / M-DOP#2 Main frame: Type: STD Centura Batch loadlocks Upper frame H2 leak detector Mass flow verification YASUKAWA Wafer transfer robot Pre aligner orienter End effecter: Edge grip peek material 2 Slots wafer storage Wafer mapping: LED Sensor detector (2) Load parts 2002 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura Epi est un équipement de pointe pour le dépôt et le traitement précis des couches d'oxyde épitaxié lors de la fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Le réacteur AMAT Centura Epi est équipé d'un système de distribution de gaz et d'une chambre à vide conçue pour obtenir une uniformité et une conformité précises dans toute la zone traitée. La chambre a une capacité d'automatisation à plusieurs niveaux, permettant une variété de recettes de processus pour différentes couches d'oxyde épitaxié. Le réacteur EPI de Centura peut être utilisé pour maximiser le taux de croissance et minimiser la densité de défauts afin d'obtenir des couches d'oxyde épitaxié les plus lisses, les plus denses et les plus uniformes. L'uniformité globale du produit final garantit des performances robustes et fiables. Cette uniformité est obtenue grâce à la combinaison d'une automatisation supérieure des procédés et d'une mécanique avancée des dépôts, ce qui peut réduire le temps de traitement global. Le réacteur EPI de Centura est conçu avec un contrôle avancé du couplage d'impédance grâce à des sources RF modulées à quatre niveaux qui permettent un contrôle précis de l'épaisseur et de l'uniformité de la couche d'oxyde épitaxié. La modulation avancée permet à l'unité de contrôler avec précision la température et la pression de réaction, ainsi que d'autres propriétés telles que l'indice de réfraction, la dispersion du guide d'onde et l'absorption. Ceci permet des taux de croissance et des épaisseurs optimales lors du traitement. En plus de la mécanique de dépôt avancée, le réacteur EPI de Centura est équipé d'une machine de distribution de gaz pouvant contenir jusqu'à cinq conduites d'entrée de gaz indépendantes. Ceci permet de déposer des couches d'oxyde épitaxié multi-couches uniformes et cohérentes. Par exemple, une source de plasma inductif couplé (ICP) peut être utilisée pour ioniser un gaz d'entrée et ce gaz peut être dosé avec précision dans la chambre de réaction. Le gaz ionisé réagit alors avec les autres gaz pour créer la couche d'oxyde épitaxié désirée. En résumé, MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura Epi est un outil de dépôt de couche d'oxyde épitaxié de pointe qui fournit des couches d'oxyde épitaxié précises et uniformes. Il est conçu avec des sources RF modulées avancées, une automatisation à plusieurs niveaux et un atout de livraison de gaz avancé pour permettre des conditions optimales pour le dépôt de couche d'oxyde épitaxié. Grâce à son contrôle avancé des procédés, des couches d'oxyde épitaxié de haute qualité peuvent être obtenues en un temps de processus plus court.
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