Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Epi #9393367 à vendre en France

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ID: 9393367
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1998
Reactor, 8" Type: Silicon cluster plasma (3) Chambers External step down transformer Flash memory drive VSB Blowers Accusette controller Heat exchanger: Grade 1 Mainframe: Wide body LL ENP Upper frame assembly HP Robot Transfer chamber Power supply: 208 VAC, CB 300A 1998 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura Epi est un réacteur autonome d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) utilisé pour la recherche et la production d'applications de dépôt et de croissance de films, telles que celles des industries photovoltaïque et semi-conductrice. AMAT Centura Epi est conçu pour être convivial, stable sur le plan mécanique et chimique, et économe en énergie. Sa conception modulaire permet la pulvérisation dans trois chambres différentes tandis que le MBE est réalisé dans une quatrième chambre. L'ensemble de l'équipement est contenu dans un cadre compact étanche à l'air compact, et les parois de la chambre sont revêtues d'oxyde de deutérium (D2O) pour atténuer la contamination du film. Le système est construit à un niveau de vide de 1.0E-9 Torr, tandis que son niveau de vide ultra-élevé (UHV) fournit un taux de processus de dépôt allant jusqu'à 20 angstroms par seconde avec une uniformité allant jusqu'à 20 pour cent. La capacité de chargement de l'unité peut traiter des échantillons jusqu'à 12 pouces de diamètre, et est également réglable pour le traitement de substrats jusqu'à 3 pouces de diamètre. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le contrôle des sources multi-canaux de Centura Epi permet de déposer simultanément jusqu'à quatre éléments pour créer des structures épitaxiales sur les surfaces des substrats. Cet outil utilise également une machine de commutation inter-soupapes avec des sources d'énergie commandées électroniquement et des chambres de traitement indépendantes pour créer des grandeurs de film sur mesure. L'outil fonctionne sur des sources d'énergie DC et RF, permettant la croissance de films monocouches et multicouches. Les taux de croissance peuvent être contrôlés grâce au mode de démarrage automatique de la source et aux contrôles d'affichage des paramètres en temps réel pour assurer des opérations de dépôt uniformes. Les sources RF sont équipées de moyens d'adaptation d'impédance et d'atténuateurs intégrés pour se connecter au modèle d'amplificateur à courant continu. Centura Epi est également équipé d'un appareil de refroidissement pour dissiper des températures allant jusqu'à 300 degrés Celsius. Cette température peut également être surveillée en temps réel avec les régulateurs de thermocouple intégrés au système. Les repose-bras intégrés, les repose-pieds et les boutons ergonomiques offrent aux utilisateurs une expérience de travail confortable. C'est vraiment le bon outil pour quiconque recherche le contrôle final des processus dans les applications de croissance de film.
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