Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI #9045084 à vendre en France

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ID: 9045084
System, 8" (2) Process chambers: Position A : RP Poly Position B : RP Epi Isolation valve PCV wet cleaned Rotation rev 4 with no wobbling kit Upper and lower lamp modules Dual manometer: 100, 1000Torr Wide body loadlock mainframe: SMIF option Missing plastic door cover Robot: HP motor Quartz blade reduced contact installed Gas panel configuration: CCTP for HTF Centura EPI 01 with divert option (3) Blowers: A, B, C AC Rack: Boards HSMS (2) Lamp drivers Quartz parts: EPI/POLY 2 Lower Dome 0200-35042 EPI/POLY 2 Upper Dome 0200-35007 EPI 2 Upper Liner 0200-35017 EPI 2 Lower Liner 0200-35023 EPI 4 Insert Quartz Inject 0200-35019 EPI 2 Baffle 0200-35020 EPI/POLY 4 Insert Quartz Exhaust 0200-35018 EPI/POLY 2 Wafer Lift Shaft 0200-35424 EPI 1 Pre-Heat Ring Toshiba 0200-35081 EPI 1 Susceptor Toshiba Non Center Post 0200-36727 EPI 1 Shaft Non Center Post 0200-00412 EPI 3 SiC Support Tips 0200-00207 EPI 3 Hollow Lift Pins (SiC) 0200-36642 POLY 1 Susceptor Support Shaft 0200-35573 POLY 1 Susceptor Xycarb 0200-35157 POLY 1 Preheat-Ring SGL 0200-35022 POLY 3 Lift Pins (Quartz) 0200-35207 EPI/POLY 2 Anti rotation pin 0200-03486 No process kit No vacuum pumps Crated and warehoused.
MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Le réacteur Centura HTF EPI (flux thermique rapide à haute température) est un outil de fabrication de semi-conducteurs pour le traitement de substrats utilisés dans la production de circuits intégrés (CI). Il est conçu pour des applications de processus à haut rendement qui nécessitent des températures allant de 500 à 900 ° C Cet outil est un four à processus monobloc qui offre une gamme de paramètres de traitement définis par l'utilisateur, y compris un contrôle de débit thermique breveté pour réduire le temps de traitement. AMAT Centura HTF EPI offre une uniformité accrue de la température du substrat sur l'ensemble de la plaquette, tout en réduisant le temps de traitement, ce qui en fait un choix idéal pour la fabrication d'IC à haute productivité. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura HTF EPI est équipé d'un équipement de contrôle moderne à microprocesseur, pour surveiller et contrôler la température de la plaquette. Il dispose d'un module de contrôle de gaz interne, personnalisé, qui offre des options illimitées pour le mélange de gaz dans la chambre. Centura HTF EPI dispose également d'un régulateur de débit thermique breveté, qui module le débit des gaz de procédé pour réduire le temps de traitement. Ce réacteur est également équipé d'un système de chauffage secondaire permettant un chauffage uniforme et indépendant des sections de chambre chaude et froide. MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Centura HTF EPI est une unité compacte et économe en énergie, ce qui en fait un réacteur fiable pour la production de structures IC complexes. Avec une capacité de 6 pouces de plaquette par lot, AMAT Centura HTF EPI offre un débit maximal, tout en améliorant l'uniformité des plaquettes et le rendement des produits, même à haute température. Il offre également un meilleur contrôle de la contamination des plaquettes et des produits chimiques à faible toxicité. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura HTF EPI est conçu avec des dispositifs de sécurité tels que des soupapes de contrôle de pression de gaz d'isolement et une fonction de purge sous vide, pour réduire le risque d'oxydation, de contamination et de panne électrique. De plus, la fonction de refroidissement post-processus de la machine aide à minimiser le rampage thermique et la dérive thermique, améliorant la répétabilité du processus et réduisant le dépôt de particules sur la plaquette. En utilisant les technologies les plus avancées et les systèmes de contrôle modernes, Centura HTF EPI est conçu pour assurer un traitement efficace des semi-conducteurs avec la plus grande sécurité. Le haut débit et le contrôle précis de ce réacteur en font le choix idéal pour la fabrication d'IC à haute productivité.
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