Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura I #9184826 à vendre en France
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ID: 9184826
Taille de la plaquette: 8"
WCVD System, 8"
WxZ
(3) Chambers
Main body
ENI Generator rack
Monitor rack
System controller
(4) Covers
(2) Cables
Mainframe: Centura I Phase I
Chamber A:
Type: WXZ
RF Generator: OEM-12B
RF Match: Phase IV
Process kit: 200mm
Heater: Ceramic
Back side baratron: MKS 100T
Purge MFC: AR 2000
Lid Assembly: STD
Process baratron:
MKS 100T
MKS 1T
Chamber B:
Type: WXZ
RF Generator: OEM-12B
RF Match: Phase IV
Process kit: 200mm JMF
Heater: Ceramic
Back side baratron: MKS 100T
Purge MFC: AR 2000
Lid Assembly: STD
Process baratron:
MKS 100T
MKS 1T
Chamber D:
Type: WXZ
RF Generator: OEM-12B
RF Match: Phase IV
Heater: Ceramic
Back side baratron: MKS 100T
Purge MFC: AR 2000
Lid Assembly: STD
Process baratron:
MKS 100T
MKS 1T
Chamber E: Single cool
Chamber F: Oriental
Robot: HP
Load lock: Wide body
Gas box: CI
No heat exchanger
Umbilical length:
CA Chamber A, B, C & D: 50 FT
Gas configuration:
Chamber A, B & D:
WF6 / 200
WF6 / 50
C2F6 / 500
AR / 3000
O2 / 1000
SiH4 / 300
H2 / 500
H2 / 2000
N2 / 300
Control rack:
Serial isolator
System reset
(2) Lk Det 1&2 / Conv/TC
No floppy disk drive
No hard disk drive
Chamber interfaces: A, B, D & E
Mainframe interface
Loadlock interface
Chamber A, B, D: DI/O 1&2
No chamber C: DI/O 1&2
Chamber E: DI/O
Synergy SBC
No controller, 486 V
No APC VME Seriplex PCB
SEI
Chamber A, B, D: AI/O
No chamber C AI/O
Mainframe AI/O
Chamber E/MF AI/O 2
(6) Mainframes DI/O
(3) Steppers
OMS.
MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Centura I est un réacteur compact, à haut volume et à haute performance pour dépôt chimique en phase vapeur (CVD) conçu pour le dépôt en chambre simple ou double de couches minces de divers matériaux. Le réacteur AMAT Centura I est conçu comme un équipement à chambre unique, avec une chambre fermée, à pression atmosphérique. Le système est alimenté par une puissante unité de chauffage par induction à fréquence variable, capable d'atteindre des températures allant jusqu'à 1000 ° C Les réactifs métalliques à la vapeur sont introduits dans la chambre de réaction par le haut, tandis que les substrats sont chargés et déchargés de l'avant. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura I est équipé d'un générateur RF, qui fournit un moyen de contrôler le processus de diverses façons, y compris le contrôle de la puissance, le contrôle de la température, le contrôle du débit de réactif et le contrôle du mélange de réactifs. La chambre de dépôt fermée est pressurisée, permettant le dépôt de couches minces submicroniques sur une gamme de substrats, dont des métaux et des semi-conducteurs. De plus, le réacteur Centura I dispose d'une alimentation à fréquence variable, permettant un contrôle précis du procédé. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS La chambre de dépôt fermée du réacteur Centura I est conçue pour minimiser l'exposition aux impuretés, offrant une meilleure qualité de film. La chambre à vide est construite à partir de quartz, avec une doublure d'alumine, fournissant une atmosphère inerte pour le processus de dépôt. L'unité est finie en acier inoxydable extrêmement durable, évitant la contamination du substrat, et est équipée d'une fenêtre optique pour surveiller le processus de dépôt. AMAT Centura I est une machine CVD rentable et performante, qui assure un contrôle fiable des processus de dépôt de couches minces de haute qualité sur un large éventail de matériaux. L'outil simple à utiliser est capable de produire régulièrement des films minces avec une excellente durabilité et fiabilité, ce qui en fait un choix populaire pour le prototypage et la production industrielle.
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