Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II DPS #115097 à vendre en France

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ID: 115097
Poly etch system Wafer Shape: SNNF (Notch) Centura II M/F: Robot: HP+ Wafer on Blade Detect Umbilicals : Cntrl M/F: 40ft Cntrl AC: 75ft AC Rack M/F: 60ft Pump M/F Intfc: 75ft RF PS Chamber: 75ft Facility Connections: M/F Rear System AC / Controller: 66” Common Controller System SW: Legacy E4.5 GEMS / SECS Interface GEMS SW ver.: E4.5 Load Locks: Narrow Body w/Tilt-out 25-Wafer Cassettes Chambers: Position Chamber Type E Orienter (OA) F Orienter (OA) A DPS+ Poly B DPS+ Poly C - D DPS+ Poly Chamber A/B/D: DPS+ Poly Pedestal Type: Ceramic ESC Single zone independent He control Endpoint Type: Monochromator Chamber E: Orienter (OA), narrow hoop Chamber F: Orienter (OA), narrow hoop Heat Exchanger / Chiller: H2000 DI EG Fluid Type: 50/50 (water/glycol) Power Requirements: V 208, 3-Phase, 4-Wire, Freq 50 / 60Hz Gas Box Config: Vertical height: 31” (10) Gas line positions per Pallet Valve Type: Veriflo Filter Type: Millipore Transducer Type: MKS Controller Type: Standard (VME/VMEII) Facility Line Connection: Single Line Drop, AC side, Bottom Fed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II DPS est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à haute température conçu pour la production de matériaux avancés. Grâce à la technologie CVD, le Centura II permet le dépôt de couches minces avec une précision et une précision extrêmes sur différents substrats. Le procédé est très contrôlable et peut être adapté à l'application souhaitée, ce qui en fait un choix idéal pour des applications telles que la fabrication de semi-conducteurs, les couches de films diélectriques et les couches d'interconnexion métallique. Le Centura II est conçu pour être économe en énergie et permettre des cadences de production rapides. La chambre et le procédé CVD sont conçus pour réduire les sous-produits chimiques, réduisant le temps et le coût de fonctionnement. Cela permet également d'augmenter la durée de vie des pièces et composants utilisés dans l'équipement. Son système de régulation de température permet un contrôle précis de la température et garantit l'uniformité et la répétabilité des processus. Le Centura II offre une unité d'échelle de pression dynamique, permettant le réglage de la pression de chambre in situ. Ceci assure l'uniformité des sous-produits de réaction, et la capacité à ajuster la réactivité et les taux de dépôt. La machine est équipée d'un contrôle multi-zones, permettant un contrôle plus large de la température du substrat, augmentant l'uniformité et réduisant les défauts dans les couches de revêtement et de film. Le Centura II est également extrêmement polyvalent, avec la capacité d'accueillir une variété de substrats, y compris le silicium, le quartz et les substrats quartz/silicium. Il a également la capacité de travailler avec divers précurseurs, y compris les précurseurs gazeux et les précurseurs organométalliques. Ceci permet de l'utiliser dans diverses applications au-delà de la fabrication de semi-conducteurs. Le Centura II est également facile à utiliser et à configurer, avec une interface utilisateur simple. Il est ainsi facile d'ajouter ou de modifier rapidement les paramètres de fonctionnement, ce qui réduit le temps et le coût de la formation des opérateurs. En outre, l'outil présente également des caractéristiques avancées telles que la production de graines métalliques excimères et de précurseurs pour améliorer la précision et l'uniformité des dépôts de couches. Le Centura II est un actif CVD performant et fiable conçu pour le dépôt de couches minces avec une précision et une précision extrêmes. Sa conception efficace et sa polyvalence en font un choix idéal pour la fabrication de semi-conducteurs, de couches de films diélectriques et d'interconnexions métalliques. Son interface conviviale et ses fonctionnalités avancées en font un excellent choix pour toute application.
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