Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II eMax #293697178 à vendre en France

ID: 293697178
System Orient chamber VHP Robot Loadlock type: Widebody EPD Controller (Hot pack) (3) eMax Chambers ENI OEM 28B Generator STP H1603 Turbo pump V452 SBC System controller Primary / secondary rack No MFC.
AMAT/APPLIED MATERIALS Le réacteur Centura II eMax est un équipement complet qui permet la production de technologies avancées et émergentes en incorporant une gamme de procédés à haute température tels que le générateur à distance In-Situ CVD, In-Situ Multi-Reactor CVD, et Enrichissement Source-Drain CVD. AMAT Centura II eMax offre un contrôle de processus inégalé, une répétabilité améliorée et une uniformité thermique. Le système comprend une zone contrôlée par la température, une interface utilisateur graphique (UI) et un ensemble puissant de commandes de pression, de température et de gaz. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura II eMax utilise un procédé CVD multi-réacteurs in situ pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés. Ce procédé permet le dépôt simultané de plusieurs couches de couches d'oxyde et de dopants dans une seule chambre, et convient pour des applications telles que le dopage oxyde-source solide, le dopage source-drain, l'isolation de tranchées peu profondes (STI) et la formation oxyde de grille/oxyde-silicium (OSIS). En outre, le procédé eMax offre une uniformité de température améliorée par rapport à d'autres systèmes CVD monocorps, ce qui peut être bénéfique pour assurer un dépôt uniforme sur tout un substrat. L'unité dispose également d'un processus CVD source-drain amélioré, qui utilise un suscepteur distant pour aider à gérer la distribution thermique des substrats. Cela permet à la machine de produire des dispositifs de source et de vidange de haute qualité avec une surface de contact accrue et une résistance en série réduite. De plus, ce procédé réduit la charge thermique sur les parois de la chambre, améliorant ainsi le débit de l'outil. En outre, les contrôles avancés de la pression, de la température et de la livraison de gaz de Centura II eMax permettent aux utilisateurs d'effectuer une large gamme de processus personnalisés. L'actif est également équipé d'un suscepteur de graphite de précision pour réduire la variabilité des processus. Le suscepteur est conçu pour accepter plusieurs substrats, assurant l'uniformité des conditions de processus sur l'ensemble du substrat. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura II eMax a été conçu pour offrir un contrôle et des performances de procédé inégalés. En offrant une combinaison de fonctionnalités telles que les CVD In-Situ, les CVD multi-réacteurs et les CVD à drain de source amélioré, le modèle permet aux utilisateurs de produire des dispositifs semi-conducteurs très avancés avec une répétabilité et une uniformité thermique supérieures.
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