Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II eMax #9260047 à vendre en France

ID: 9260047
System, 8" Model: Centura 5200 I (3) Chambers Mainframe: Centura 5200 I PH2 Loadlock: Wide body SBC: V452 Robot: VHP+ Loadlock features: Body loadlock: Wide body Slit valve door O-ring: Viton UNIVERSAL Wafer / Cassette sensors Manual lid hoist Helium cooling: MKS 649 Gas panel type: Seriplex MFC Type: Unit 8160 No dummy wafer storage Chambers A, B and C: eMax Gate valve: VAT Manometer: MKS 1 Torr Chuck: Ceramic ESC ALCATEL ATH 1600 Turbo pump ALCATEL ACT 1300 M Turbo pump controller RF Match box: 0010-30686 ENI OEM 28B RF Generator Endpoint type: Hotpack Chamber F: ORIENT Power supply: 208 VAC, 50/60 Hz.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura II eMax est une chambre de procédé haute température et haute pression utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. L'équipement complet se compose d'un échangeur de chaleur intégré et d'un système de contrôle de pression, d'un débit de gaz de haute pureté, d'un environnement à ultra-haut vide (UHV) et d'une suite d'outils de métrologie in situ. Le réacteur AMAT Centura II eMax est conçu pour un contrôle et une répétabilité supérieurs, permettant la fabrication fiable de dispositifs semi-conducteurs multicouches de pointe. Au cœur de MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura II eMax est une chambre de processus haute température et haute pression. Cette chambre est capable de températures jusqu'à 900 ° C et contient une pression jusqu'à une atmosphère. Grâce à sa conception efficace et à sa configuration électrique sophistiquée, Centura II eMax peut rapidement chauffer ou refroidir, permettant des temps de cycle efficaces. De plus, la chambre de procédé est autosurveillante et offre une vue en temps réel de la température et de la pression du procédé. MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Centura II eMax dispose également d'un échangeur de chaleur intégré avancé et d'une unité de contrôle de pression. Cette machine intégrée régule intelligemment la température et la pression de la chambre de procédé en fonction du processus de lithographie unique. Cet outil assure une régulation précise de la chambre de procédé, quelle que soit la couche semi-conductrice fabriquée. L'actif intégré permet également des économies de coûts car des composants externes supplémentaires ne sont pas nécessaires. L'AMAT Centura II eMax comprend la fourniture de gaz de haute pureté pour le CVD (dépôt chimique en phase vapeur) et d'autres procédés. Ils comprennent les gaz sources, ainsi que des systèmes d'échappement/épuration sont disponibles. Cela permet à l'utilisateur de créer une large gamme de produits chimiques pour différents besoins de semi-conducteurs. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura II eMax contient un environnement à ultra-haut vide (UHV) pour assurer une pureté maximale du procédé. Cet environnement UHV garantit que les particules volatiles, les contaminants ou les gaz ne nuisent pas aux performances ou à la qualité des plaquettes semi-conductrices. De plus, l'environnement UHV peut également contribuer à la réduction de la contamination, car certaines particules et certains gaz peuvent être facilement évacués de la chambre. En métrologie in situ, Centura II eMax offre des capacités de pointe. Cela comprend la capacité de surveiller le taux et le profil de dépôt de la plaquette, ainsi que les performances du dispositif pendant le traitement. En outre, AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II eMax permet également de mesurer l'épaisseur du film de différents matériaux, d'ajuster automatiquement les conditions de la chambre en utilisant un contrôle de recette avancé et de visualiser les différentes couches créées. Le modèle AMAT Centura II eMax est un réacteur haut de gamme conçu pour la fabrication avancée de semi-conducteurs. Ses caractéristiques puissantes et avancées permettent un traitement précis et reproductible des plaquettes semi-conductrices de haute performance. Ceci est réalisé avec la chambre de procédé avancée, l'échangeur de chaleur intégré/l'équipement de contrôle de pression, le débit de gaz de haute pureté, l'environnement ultra-haut vide, et une suite d'outils de métrologie in situ.
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