Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II IPS #115471 à vendre en France

AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur IPS Centura II est un équipement d'implantation ionique hautement fiable et à longue durée de vie qui est utilisé dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Il est conçu spécifiquement pour les couches de type p et n à des températures plus élevées, ce qui le rend idéal pour les applications VLSI. Le système utilise une configuration de faisceau unique pour l'implantation d'ions de précision. Il a un arc minimal même aux énergies supérieures du faisceau et une érosion minimale des pulvérisateurs pour minimiser les contaminants. Ceci permet l'implantation de telles couches minces pour les MOSFET, DRAM et autres très grands circuits intégrés. Le réacteur AMAT Centura II IPS utilise un modulateur haute tension de précision pour contrôler la tension, le courant et la synchronisation du faisceau d'ions. Cette unité permet d'éviter les chocs thermiques qui peuvent provoquer une fuite du dispositif. Les températures plus élevées permettent une utilisation plus efficace de l'énergie du faisceau pour atteindre un nombre donné d'atomes dopants par étape de procédé. La chambre à vide complète est suffisamment grande pour permettre des dépôts verticaux et horizontaux et offre une intégrité d'interface supérieure. La machine a un design modulaire qui offre une flexibilité tout en conservant une faible empreinte. L'outil comprend un boîtier optique de formation de faisceau supérieur, des porte-échantillons et des traversées, ainsi que la source d'ions. La source d'ions utilise la magnétique avancée et l'optique d'extraction pour maintenir un profil de faisceau stable et l'énergie du faisceau, assurant la plus grande répétabilité dans la densité de processus désirée. La conception robuste de l'actif utilise également des interactions avancées et le contrôle de l'environnement pour une exploitation sûre. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur IPS Centura II dispose de trois alimentations électriques standard qui fournissent une tension de faisceau d'ions réglable, un courant de faisceau et une largeur d'impulsion de faisceau pour permettre des implants complexes sur les surfaces des plaquettes. Le réacteur peut fonctionner jusqu'à 70 kV et a un courant de faisceau réglable allant de 0,1 mAmp jusqu'à 1 Amp. Le modèle dispose d'un équipement de régulation de température intégré qui peut atteindre et maintenir des températures jusqu'à 530 ° C Ceci permet un contrôle dynamique des espèces implantées afin d'obtenir les résultats souhaités pour les implants agressifs et les profils de profondeur de jonction peu profilés. Le réacteur IPS Centura II est un système très avancé qui offre des niveaux supérieurs de performance et de rentabilité. C'est une solution fiable et rentable qui est bien adaptée pour répondre aux défis auxquels sont confrontés les fabricants de semi-conducteurs. C'est un excellent choix pour les applications d'implantation ionique qui nécessitent une précision et une répétabilité élevées.