Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II #9046133 à vendre en France
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Vendu
ID: 9046133
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2002
Etcher, 8", currently configured for 6"
Model: 5202
System type: Hybrid etcher 5202
Chamber types:
Chamber A DPS + Ploy
Chamber C Super E Oxide
Chamber D Super E Oxide
Chamber F orienter
Gas panel type: Centura II
Mainframe type: Centura II
Software revision: E4.5
(1) DPS silicon etch chamber
(2) Super-E dielectric oxide etch chambers
Applications:
STI etch, polysilicon gate etch, and spacer etch in DPS poly etch chamber
Contact and via etches in Super-E dielectric etch chambers
Plasma etching in both chambers
Super-E uses a single capacitively-coupled RF source
DPS poly chamber uses an inductively-coupled source for plasma generation and a capacitively-coupled source to control ion energy and directionality near the wafer surface
2002 vintage.
AMAT (APPLIED MATERIALS) AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) spécialement conçu pour le dépôt avancé de couches minces. Il s'agit d'un équipement de production de 300mm qui permet de contrôler avec précision les processus de dépôt de couches minces à haut volume. Le réacteur AMAT Centura II est conçu pour un dépôt optimal de couches minces pour des semi-conducteurs logiques et mémoire avancés. Il combine la flexibilité des chambres de traitement ouvertes avec le débit des systèmes à haut rendement. Les composants principaux du réacteur CENTURA-II DES MATÉRIAUX APPLIQUÉS sont un support monobloc ou multi-plaquettes et une chambre de procédé. Le porte-plaque unique est conçu pour permettre un alignement et une rotation précis de l'échantillon tout au long du cycle de processus, tandis que le porte-plaque multiple est optimisé pour améliorer l'uniformité et le débit. La chambre de procédé est le cœur du système, qui est construit avec une atmosphère optimisée pour le dépôt à haut débit. La chambre de procédé est également constituée d'un évaporateur à faisceau d'électrons (EBE) pour assurer le dépôt précis d'un matériau volatil sur la plaquette de courant. Le réacteur Centura II est livré avec une variété de caractéristiques conçues pour améliorer la performance et l'efficacité du procédé. Par exemple, il offre un contrôle de débit de précision et des paramètres de processus réglables, qui permettent un dépôt de film précis. De plus, il dispose d'une unité de surveillance et de contrôle avancée qui est conçue pour fournir un retour d'information en temps réel et un accès aux paramètres critiques du processus. Enfin, il est équipé d'une machine d'orientation de coordonnées, qui permet un alignement précis des films, permettant une grande homogénéité. Dans l'ensemble, AMAT CENTURA-II est un réacteur CVD intégré de qualité de production spécialement conçu pour le dépôt avancé de couches minces. Il offre un contrôle de processus de précision, un débit plus élevé et un dépôt de film précis, permettant une production efficace et à haut volume de dispositifs avancés.
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