Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MCVD #293595634 à vendre en France

AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura MCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) est un système de dépôt avancé à haute performance pour la croissance des couches épitaxiales dans les procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Le système est conçu pour offrir une homogénéité supérieure et des caractéristiques de film, permettant une plus grande uniformité du dispositif et des performances améliorées. Le réacteur AMAT Centura MCVD est doté d'un design polyvalent et de pointe. Il est équipé d'un système de distribution de gaz contrôlable, qui permet une distribution et un contrôle précis du gaz. On assure ainsi une distribution uniforme des gaz désirés dans toute la chambre du réacteur. Cette caractéristique permet également un meilleur contrôle de l'atmosphère de la chambre et de la température du substrat, d'où une meilleure qualité et un dépôt plus uniforme. Le réacteur est conçu pour produire des résultats de dépôt cohérents et répétables, même lors du traitement d'une variété de substrats. Cela est rendu possible par le processus unique de dépôt MCVD, qui combine les caractéristiques souhaitables des dépôts chimiques en phase vapeur (CVD) et des dépôts chimiques en phase vapeur d'origine métallique (MOCVD). Elle commence par le dépôt d'une couche moléculaire conforme d'un matériau approprié sur le substrat. Cette couche moléculaire sert de modèle pour d'autres processus de dépôt, car des couches supplémentaires réagissent par des moyens chimiques avec la première couche pour former des dépôts de couches supérieures. Cela permet la croissance de matériaux multicouches d'épaisseur et d'uniformité fiables, avec des morphologies de surface améliorées. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura MCVD présente plusieurs avantages distincts par rapport aux autres systèmes de dépôt. Il a un taux de dépôt élevé, ce qui permet des temps de traitement plus rapides. De plus, en raison des multiples sources d'émission de gaz, il n'y a pas de zones mortes dans la paroi de la chambre de réaction. Il en résulte une plus grande uniformité tout au long du processus de dépôt de la couche. Le procédé MCVD est également extrêmement économe en énergie, ce qui se traduit par des économies par rapport aux autres systèmes de dépôt. Le réacteur Centura MCVD est l'outil idéal pour le dépôt de matériaux multicouches. Il fournit des résultats de dépôt fiables, uniformes et de haute qualité, et est un outil essentiel dans les processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs d'aujourd'hui.