Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MxP+ #166626 à vendre en France

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ID: 166626
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1996
Oxide etch system, 8" Install Type: Stand-Alone Cassette Interface: (Qty 2) Jenoptic InFab (SLR-200-LPTSL/R) Bolt-On SMIF Wafer Shape: SNNF (Notch) Centura (common) M/F: Robot: HP Robot Blade Type: Ceramic Wafer on Blade Detect Umbilicals : Cntrl - M/F: 40ft Pump - M/F Intfc: 50ft RF PS - Chamber: 50ft Water Leak/Smoke Detection Facility Connections: M/F Rear M/F Exhaust Line: 304SST Status Lamp (RYG) System AC / Controller: Type: Phase 1 System SW: Legacy E3.8 Endpoint SW: ENDP28 GEMS / SECS Interface GEMS SW ver.: OS2 E3.8 Load Locks: Wide Body w/Auto-Rotation 25-Wafer Cassettes Wafer Mapping Chambers: Position Chamber Type E: Orienter (OA) F: Orienter (OA) A: MXP+ Oxide B: MXP+ Oxide C: MXP+ Oxide D: MXP+ Oxide Chamber E/F: Orienter (OA) Lid Type: Hinged Chamber A/B/C/D: MXP+ Lid Assy PN: 0010-36123 rev A Lid Type: Screw/Bolt Down Pedestal Type: Polyimide ESC Process Kit: Quartz Single Ring RF Match Type: Phase IV Cathode Type: Simplified Bias RF PS: ENI OEM-12B3 Endpoint Type: Monochromator Throttling Valve + Gate Valve : Vat 65 Turbo Pump: Ebara ET300WS Gas Box Config: Vertical height: 31” (Qty 10) Gas line positions per Pallet Valve Type: Fujikin Filter Type: Millipore Transducer Type: SPAN Controller Type: Standard Facility Line Connection: Single Line Drop, Top Exhaust Heat Exchanger / Chiller: (Qty 2) Neslab 150 Fluid Type: 50 / 50 Power Requirements: V 208, 400A, 3-Phase, 4-Wire, 60Hz 1996 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura MxP + est un réacteur de dépôt conçu pour les procédés de nanofabrication. Il est équipé d'une puissante source de plasma hyperfréquence et utilise la technologie de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à base organique chaude pour déposer des couches minces de molécules sur un substrat. Le MxP + est conçu pour être exceptionnellement fiable avec une longue durée de vie, ce qui le rend bien adapté aux processus de production critiques. Le MxP + est actionné dans une chambre à vide. La source hyperfréquence fournit de l'énergie pour créer un plasma à partir du gaz réactionnel, qui est ensuite dirigé vers le substrat pour provoquer des CVD. Selon le gaz réactionnel, un large éventail de matériaux peut être déposé, notamment des métaux, des oxydes, des nitrures et des semi-conducteurs. Le gaz réactionnel est régulé en flux pour permettre un dépôt précis des matériaux avec un contrôle précis de l'épaisseur. Le MxP + est équipé d'un bras de plaquette flexible, qui permet de charger et de déplacer des plaquettes jusqu'à six pouces de diamètre à l'intérieur de la chambre. C'est un système hautement automatisé, avec une interface conviviale qui permet aux utilisateurs de créer et de stocker des processus. Il peut être opérationnel dans une gamme de températures, de pressions et de niveaux de puissance, de sorte que les utilisateurs peuvent sélectionner les meilleurs paramètres pour atteindre les résultats souhaités. La température est surveillée et maintenue dans des tolérances strictes pour garantir des taux de dépôt précis. Le MxP + est équipé de multiples dispositifs de sécurité pour protéger les utilisateurs et le substrat en cours de traitement. La chambre est remplie d'un gaz basse pression, ce qui permet de réduire le transfert thermique entre le bras de plaquette et les parois de la chambre. Ceci permet d'éviter les dommages thermiques au substrat. Le système comprend également une fonction de contrôle de dose automatisé qui régule la quantité de plasma produite par la source hyperfréquence pour protéger les parois de la chambre et réduire le risque de contamination du produit. Le MxP + est le choix idéal pour les applications de recherche et de production, offrant précision, fiabilité et répétabilité. Il permet aux utilisateurs de développer de nouveaux processus de dépôt ou d'optimiser ceux existants pour améliorer les performances. Ce réacteur de dépôt haute performance offre une solution idéale pour des applications avancées en nanofabrication.
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