Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura PE CVD #9116532 à vendre en France

AMAT / APPLIED MATERIALS Centura PE CVD
ID: 9116532
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2000
ACL Tess CH, 8" Frames only (4) Chambers 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura PE CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est un réacteur mono-wafer complet conçu pour effectuer un dépôt chimique en phase vapeur (PECVD) de haute qualité et enrichi en plasma de photorésist sur silicium polycristallin, silicium et autres substrats. Le procédé PE CVD est basé sur l'application de deux gaz ou plus sur le substrat au moyen d'un plasma. Les gaz sources sont typiquement du silane (SiH4) pour la croissance de films de silicium polycristallin ou du diborane (B2H6) pour la croissance de films de nitrure de silicium. Les gaz sont transportés dans la chambre de réaction à travers un collecteur de distribution de gaz, et les espèces réactives pour la formation du film sont générées par un plasma formé entre deux ou plusieurs électrodes alimentées par un générateur de micro-ondes. L'équipement AMAT Centura PE CVD offre une large gamme de capacités de processus, y compris la capacité de déposer des films minces de haute qualité sur de grandes surfaces, un débit élevé et un plasma uniformément réparti sur tout le substrat. Le plasma est généré par un ensemble d'électrodes constitué de deux anneaux diélectriques et de plusieurs inserts en tungstène situés autour de la plaquette. Le plasma est dirigé vers le substrat via un système automatisé en anneau fendu qui assure une distribution uniforme et efficace du gaz. L'unité de distribution de gaz utilise des technologies brevetées, telles que des vannes de distribution de gaz variables et des points d'injection de gaz pré-calibrés, pour assurer un débit élevé et une faible non-uniformité des dépôts. Le générateur Themicrowave est capable de délivrer jusqu'à 20 kW de puissance RF pour générer un plasma de la densité d'électrons souhaitée au niveau du substrat afin d'assurer une croissance uniforme du film. Le Centura dispose également de fonctions dédiées de suivi et de diagnostic de processus, telles que la spectroscopie diagnostique in situ, pour assurer un dépôt de la plus haute qualité. La machine est équipée d'un contrôleur qui permet à l'utilisateur de surveiller et de gérer les paramètres du processus en temps réel. MATÉRIAUX APPLIQUÉS L'outil Centura PE CVD est conçu pour offrir une homogénéité supérieure des processus et des caractéristiques de croissance des films. Il offre une gestion chimique automatisée et un contrôle précis du processus de dépôt, comme la température, le temps, la pression et le débit de gaz. Avec sa conception robuste, l'actif est capable de fonctionner de manière fiable sur de longues périodes et peut facilement être reconfiguré pour répondre à une variété de besoins de production.
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