Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura TPCC #293749953 à vendre en France

ID: 293749953
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2000
System, 8" Process: ISSG / DPN SMIF Chamber A (DPN): Material: Al-Si Coating RF Generator with power supply: 13.6 MHz, 20-1000 W Manometer MKS: 13.3 / 1333 Pa Manometer Torr: 1 / 10 Wafer cooling: He ESC Wafer holding Ground VDE BOC EDWARDS / SEIKO SEIKI STP-A1603C Turbo pump: 1600 Litres/sec No RGA Port N2 MFC Size: 1slm Chamber B (ISSG): Toxic chamber with exhaust: CHEMRAZ O-Ring No RGA No ISPM No oxygen analyzer Process capability: Gasses: O2, Ar, He, N2, H2 Oxidation capability GPM Controller ISSG / RPN No remote plasma Chamber purge option: 0021-35008 Reflector plate 0200-36118 Edge ring, Si-C 0200-03425 Wafer cylinder No reflector plate Gas pallet: O2 MFC: 5 / 20 slm Ar / He MFC N2: 1 MFC, 20 slm H2: 3 MFC, 1 slm / 10 slm Load lock / cassette: (2) Chambers Wide body Universal cassette platform Fast wafer mapping Light tower: Red, yellow, green Heat exchanger: Steelhead-3 (PM1) 2000 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura TPCC (Thermal Processing & Chemical Chemical Vapor Deposition Reactor) est un équipement de dépôt très avancé qui est utilisé pour la production de matériaux à couches minces. Ce système est composé d'une chambre de réaction, de l'alimentation en matière, de l'étage de dépôt, de la pompe à vide et d'une unité de commande. La chambre de réaction est une chambre cylindrique avec un suscepteur chauffé au milieu. Le suscepteur est utilisé pour maintenir une température uniforme dans toute la chambre et consiste en une plaque de base recouverte de réfractaires avec un réseau d'éléments chauffants. Il peut être chauffé jusqu'à 1000 ° C et les parois sont maintenues isolées pour assurer une température uniforme. La machine d'alimentation se compose d'un certain nombre de réacteurs, de fours et de creusets qui sont utilisés pour alimenter la chambre du réacteur. La matière première peut se présenter sous forme de poudres, de granulés ou d'autres particules. Ces matériaux sont chauffés, vaporisés, puis injectés dans la chambre de réaction où se produit une réaction chimique entre les matériaux et les gaz de réaction chauffés. L'étage de dépôt est un composant crucial de l'outil et consiste en une disposition de fenêtres en quartz cristal, qui permettent le dépôt d'un film mince sur un substrat. Le substrat est placé en position cible et le gaz de dépôt est injecté sur le substrat par les fenêtres à quartz. Le substrat est alors chauffé et le film mince est cultivé dessus. La pompe à vide de l'actif fonctionne à basse pression pour permettre le dépôt de matériaux en couches minces et réduire le risque de particules sur le substrat. Le vide empêche également l'oxydation des matériaux et fournit un milieu dans lequel il peut circuler d'une chambre de réaction à l'autre. Enfin, le modèle comprend un équipement de contrôle pour gérer la température, la puissance et d'autres facteurs qui influent sur le processus de dépôt. Le système de contrôle surveille également l'avancement de la réaction et permet d'effectuer les réglages nécessaires pour obtenir l'épaisseur de film désirée. En conclusion, AMAT Centura TPCC est une unité de dépôt très avancée conçue pour faciliter la production de divers matériaux à couches minces. Il se compose d'une chambre de réaction, d'une alimentation en matériau, d'une étape de dépôt, d'une pompe à vide et d'une machine de commande, qui travaillent ensemble pour assurer le dépôt efficace et précis d'un film mince sur un substrat.
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