Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Ultima HDP CVD #62203 à vendre en France
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Vendu
ID: 62203
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2000
Etcher, 8"
(2) Ultima chamber
(1) Ultima plus chamber
Technology :IMD
Wafer Size : 8"
Wafer Shape : SNNF (Semi Notch No Flat)
Software Version : B4.3.14
CHAMBER TYPE AND LOCATION
Ch A : Ultima HDP-CVD
Ch B : Ultima HDP-CVD
Ch C : Ultima + HDP-CVD
Ch E : Multislot Cool Down
Ch F : Orientor
CHAMBER A,B Ultima HDP-CVD :
Nozzle : Long/Long Side
Clean Gas Distribution : Baffle
Turbo Pump : Ebara ET1600WS w/ HVA
Wafer Temperature Monitoring : Yes
Top Gas Feed : Without Top O2
Dual Independent He Control : Standard 10/10 TORR
Clean Method : Microwave
CHAMBER C - Ultima + HDP-CVD :
Nozzle : Long/Long Side
Clean Gas Distribution : Baffle
Turbo Pump : Ebara ET1600WS w/ HVA
Wafer Temperature Monitoring : Yes
Top Gas Feed : Without Top O2
Dual Independent He Control : Standard 10/10 TORR
Clean Method : Top Mount
EXISTING ELECTRICAL REQUIREMENTS
Line Frequency : 60Hz
Line Voltage : 200/208V
Line Amperage : 600A Platform
EXISTING SAFETY EQUIPMENT :
EMO type : Turn to release EMO
EMO Guard Ring : Yes
System Labels : English w/Chinese Non-simplified
System Smoke Detector : Controller
EXISTING MAINFRAME :
Mainframe Type : Ultima HDP w/Multislot
Frame Type : Standard Frame
System Placement : Through the Wall
Mainframe Skins : No
Mainframe Exhaust Duct : No
Mainframe Facilities Connection : Back
Robot Type : HP Robot
Robot Blade : Ceramic
Loadlock Cassette : Narrow Body
Narrow body Loadlocks : Cassette Present Sensor
Loadlock Wafer Mapping : Basic
N2 Purge Type : STEC 4400MC 10 Ra Max
EXISTING GAS DELIVERY :
Gas Panel Surface Finish : Standard Gas Panel
MFC Type : STEC 4400MC 10 Ra Max
Valves : Fujikin 5 Ra Max
Filters : Pall Ni 10 Ra Max
Transducers : MKS w/ Display
Regulators : Veriflo
System Cabinet Exhaust : Top
Gas Panel Gas/Flow Direction Labels : Yes
APC Seriplex Cover : Yes
Gas Panel Doors : Solid
Gas Pallet Configuration :
Chamber A, B, C
Gas Stick/Process Gas/MFC size/Regulator/Transducer
#1 SiF4 100 Y Y
#2 O2 400 Y Y
#3 SiH4 200 Y Y
#4 Ar 300 Y Y
#5 SiH4 20 Y Y
#6 Ar 50 Y Y
#7 NF3 2000 Y Y
#8 Ar 2000 Y Y
REMOTES :
RF Generator Rack - Ultima Gen. Rack
ASTEX 80S09mW (3)
Quantity : Two
Ultima Stand-Alone RF Generator Rack : Yes
Generator Rack Cooling - RF Gen Rack Manifold with Quick Disconnect Ultima Gen Rack H20 Connection - Barbed Brass
Existing Heat Exchanger : SMC Thermo
Umbilicals :
System Controller Signal Cable Length : 55ft
RF Gen Rack Cable Length : 50ft
Ultima Stand-Alone Generator Rack : 98 ft
HX Hose Length : 50ft
HX Cable Length : 50ft
Pump Cable : 50ft
Ultima Microwave Generator Cable Length : 50 ft
Ultima WTM Cable Length : 32.8 ft (10m)
Vacuum Pumps, Exhaust Scrubber not included in sale
Currently crated and stored
System Can be inspected
1999-2000 vintage.
MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Centura Ultima HDP CVD est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avec une chambre de traitement propriétaire pour le plasma à paroi chaude (HWDP). Ce réacteur est spécialement conçu pour faciliter le dépôt chimique en phase vapeur d'une gamme de matériaux avec une uniformité thermique et plasma optimisée. Le réacteur utilise des précurseurs chimiques pour créer des couches de matériau sur des substrats tels que le métal, le silicium ou la céramique. Avec la capacité de produire des couches incroyablement minces et conformes de dépôt assisté par plasma à haute densité (HDP), ce réacteur est un outil idéal pour des applications allant des emballages semi-conducteurs et des interconnexions avancées aux applications biomédicales et nanotechnologiques. Le réacteur CVD AMAT Centura Ultima HDP est conçu pour assurer une uniformité et une répétabilité maximales pendant le processus CVD. La conception de la chambre de traitement HWDP permet une évaporation précise des précurseurs qui sont convertis en plasma au contact de la source de plasma chaud. Cette source de plasma présente une grande homogénéité, assurant au revêtement obtenu une épaisseur de couche constante dans tout le substrat. En outre, la conception de la chambre HWDP élimine le besoin de refroidissement, permettant un contrôle de la température plus élevé pour améliorer la densité des couches. L'utilisation de capteurs de température dans toute la chambre permet également un contrôle précis de la température pour améliorer l'homogénéité des couches et le contrôle des propriétés. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur CVD HDP Centura Ultima est également conçu pour promouvoir des performances à haut débit. La chambre de traitement est conçue pour fonctionner à basse pression, permettant des débits élevés de gaz précurseurs et de contrôle de traitement. Ce débit élevé peut être utilisé pour maximiser le volume de production et le rendement tout en maintenant les niveaux les plus élevés de processus et de contrôle de la qualité. Centura Ultima HDP CVD est un excellent outil pour une variété d'applications CVD. De la création de couches de haute densité pour les emballages semi-conducteurs aux matériaux biomédicaux et aux nanotechnologies, ce réacteur présente des caractéristiques conçues pour faciliter le dépôt de revêtements avec une uniformité et une répétabilité améliorées. Ce réacteur est idéal pour des applications nécessitant un contrôle précis de l'épaisseur, de la température et de l'uniformité des couches, permettant le dépôt de couches HDP pour la technologie la plus avancée.
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