Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura WCVD #9116741 à vendre en France

AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur de dépôt Centura WCVD (CVD) a révolutionné l'industrie des semi-conducteurs. Ce réacteur est conçu pour le dépôt de matériaux métalliques et diélectriques sur le substrat dans une grande variété de procédés. Pour ce faire, on génère un environnement réactionnel à haute température pour déposer des films et des composés de haute qualité sur la surface. L'avantage majeur de l'utilisation du réacteur AMAT Centura WCVD est la capacité d'augmenter la vitesse de dépôt, d'améliorer l'uniformité de température et la cohérence des films et de réduire la contamination par les particules. MATÉRIAUX APPLIQUÉS CENTURA La WCVD est équipée de quatre lampes à haute fréquence à quartz-halogène pour obtenir des taux de dépôt optimaux tout en maintenant une répartition uniforme de la température, une contamination croisée minimale et une faible émission de particules. Il dispose également d'un injecteur de gaz prémélangé à fort débit pour obtenir une meilleure uniformité des taux de dépôt. Cette méthode de distribution de gaz est plus fiable et empêche la génération de points chauds sur l'échantillon. De plus, le système comprend une chambre thermiquement stable pour un profil de température du substrat stable, une surcharge thermique réduite et une meilleure précision des résultats du processus. AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA WCVD Reactor est très efficace dans la fabrication de circuits VLSI et de matériaux optiques. Elle permet la croissance en couches minces d'alliages complexes ainsi que le dépôt de polymères et de revêtements à faible constante diélectrique. En outre, le réacteur Centura WCVD peut être utilisé pour l'encapsulation CVD, les couches barrières, le dépôt de photorésistance et le dépôt de couches diélectriques. AMAT CENTURA WCVD Reactor est un choix idéal pour les matériaux avancés tels que les plaquettes de silicium monocristallin, les couches diélectriques, le polyimide et le quartz. Il fonctionne à haute température jusqu'à 1400 ° C pour le dépôt de couches ultra minces de l'ordre des nanomètres. Le réacteur est conçu pour assurer un contrôle optimal de l'uniformité des procédés. Il dispose également d'une large gamme de températures et de temps de séjour avec une excellente répétabilité et reproductibilité. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura WCVD offrira la plus haute qualité et la plus grande productivité pour toutes les applications de processus dans la technologie de microélectronique haut de gamme. Sa capacité à améliorer la vitesse de dépôt et l'uniformité de température, tout en minimisant la contamination des particules, en fait un choix idéal pour l'industrie des semi-conducteurs.