Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA #9160522 à vendre en France

Le réacteur AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA est un équipement semi-automatique de haute performance de type PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) conçu pour assurer des dépôts plasmatiques rentables de matières inorganiques à des taux élevés. La chambre de procédé contient quatre sources RF (radiofréquence) fonctionnant à 13.56MHz qui sont utilisées pour allumer et entretenir un plasma hyperfréquence dans la chambre de procédé. La source plasmatique est capable de gérer des pressions faibles à modérées (< 10-3 torr) et peut atteindre 8 kW. Grâce à ce système polyvalent, les ingénieurs de procédé peuvent déposer des couches minces d'oxyde, de nitrure et de carbure pour la fabrication et la recherche de dispositifs microélectroniques avancés. En incorporant une serrure de chargement monobloc, la chambre bouillonne rapidement, éliminant l'intervention de l'utilisateur et réduisant le risque de contamination de la chambre de procédé, ce qui réduit les coûts de propriété et de fonctionnement. En utilisant une unité d'amortissement avec un joint à soufflet, la chambre est conçue pour piéger le vide d'extrémité et réduire le coût de propriété. De plus, le procédé de dépôt en couches minces utilise un collecteur de distribution de gaz et peut être configuré pour les gaz réactifs et non réactifs. À l'intérieur de la chambre, un outil de tête de douche à angle fin est utilisé pour répartir uniformément les gaz de procédé et un motif de tête de douche prédéfini assure une répartition uniforme des gaz, ce qui permet une meilleure uniformité de processus sur toutes les plaquettes. Le réacteur AMAT CENTURA comprend également un logiciel d'interface graphique convivial. Ce logiciel permet de vérifier, de configurer et de surveiller les paramètres du processus à partir d'un menu unifié, simplifiant l'interface, le fonctionnement et la documentation du processus de dépôt de couches minces. Cette machine est principalement utilisée pour la fabrication de structures de dispositifs semi-conducteurs impliquant des dépôts en couches minces avec des vitesses plus élevées, de meilleures caractéristiques du dispositif, une qualité P et E plus élevée et un coût par pièce moins élevé. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur CENTURA est conforme aux exigences des normes FAB20, SEMI-S2 et fournit un procédé de dépôt de couches minces propre, sûr et efficace.