Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA #9183325 à vendre en France

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ID: 9183325
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2000
HDP-CVD System, 8" Software version: B3.7_34 CIM: Linked Hardware configuration: Main system: (1) Centura 5200 SMIF System: (2) Asyst SMIF Interfaces Handler system: (1) HP ROBOT Process chmber: (3) FHDP Chamber ultima Hardware configuration (Subfab / Auxiliary units) (1) SMC Heat exchanger (3) ETO Generators (2) CDO (3) EBARA Pumps AAS70WN Buffer / Loadlock EBARA Pump: (2) EBARA Pumps AA20N Missing / Faulty parts / Accessories list (1) RPS (AT APP pending to repair) (1) Side match (At fab 35) 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA Reactor est une pièce très polyvalente d'équipement de traitement du silicium utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. Sa flexibilité en fait un outil utile pour une variété de projets, du prototypage à petite échelle à la haute production. Le réacteur AMAT CENTURA est un réacteur à vide élevé en une étape pour le traitement des substrats en silicium dans une chambre de traitement thermique. Ce design unique et breveté offre un revêtement très uniforme et à faible constante diélectrique. La chambre est équipée d'un système de pompage à basse pression étanche au soufflet de quartz, couplé à un système de distribution de gaz avec des vannes cyclables rapides et des débits contrôlés par ordinateur. Ce réacteur est conçu pour réduire les étapes coûteuses du procédé tout en répondant aux exigences de l'industrie en matière d'uniformité, de fiabilité et de rendement des films. Le réacteur est principalement utilisé pour le dépôt de siliciure de tungstène, de siliciure de titane, de silicures de cobalt et d'autres siliciures. Il dispose d'une chambre unique, qui est de 15 pouces de hauteur, deux pieds de largeur, et quatre pieds de profondeur. La chambre est équipée de deux contrôleurs électroniques indépendants de micro-processeur, de plusieurs systèmes de détection de température et de débit de gaz, et d'un port de vue de chambre. La température peut être réglée de 50- 1000⁰C, avec une température maximale de traitement de 850⁰C. Le réacteur comporte des porte-plaquettes interchangeables, qui peuvent accueillir des plaquettes de 3 à 8 pouces de diamètre. Les transporteurs fournissent un emplacement horizontal et vertical précis de chaque plaquette. La force centrifuge fournie par le support tournant crée une charge superficielle assurant une homogénéité et une épaisseur constantes du film obtenu. MATÉRIAUX APPLIQUÉS CENTURA Le réacteur est un outil précieux pour de nombreux procédés semi-conducteurs. Avec la polyvalence des paramètres réglables, y compris la température, le débit de gaz, la pression et les temps de réaction, ce réacteur peut améliorer l'efficacité tout en réduisant le coût et le temps dans le processus de fabrication. Sa conception enveloppante précise, son électronique robuste et son contrôle précis du gaz et de la température garantissent que les résultats du processus sont cohérents et précis.
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