Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA #9237390 à vendre en France

AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA
ID: 9237390
PVD System With (2) GAMMA 2 TiN (ESC) chambers.
AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA est un réacteur de dépôt de silicium polycristallin à basse température qui produit des films de silicium polycristallin. Le réacteur en silicium polycristallin AMAT CENTURA (AMAT) est utilisé dans la fabrication de nombreux composants microélectroniques. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur en silicium polycristallin CENTURA fonctionne généralement à des températures comprises entre 500 et 600 ° C pour produire des films d'une pureté de 99,999 %. Le réacteur en silicium polycristallin CENTURA est constitué d'un tube en quartz à plusieurs niveaux, appelé « empilement ». L'empilement contient plusieurs couches de quartz, des chicanes de quartz et une chambre de réaction. Les tubes de quartz supérieur et inférieur forment les parois de la chambre de réaction, tandis que les chicanes de quartz intermédiaires sont des composants métalliques isolés thermiquement qui servent de barrières pour diffuser l'énergie thermique. La chambre de réaction est chauffée par un chauffe-induction à haute température et une conduite d'alimentation en hydrogène chaud de la charge. AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA réacteur en silicium polycristallin est conçu pour produire des films avec une grande pureté, une structure cristalline uniforme, et un haut degré de contrôle sur les caractéristiques des films. Il est également capable d'affiner la vitesse et les propriétés de dépôt des films pour optimiser les résultats souhaités. En fonctionnement, de la poudre de silicium est introduite dans la chambre de réaction qui est exposée à une combinaison de température et de pression élevées. L'hydrogène gazeux chaud mélangé à de la poudre de silicium se vaporise pour former des particules de silicium individuelles qui, au contact des parois chaudes et des chicanes de quartz, réagissent et se déposent sur le substrat pour réaliser des films. Les films sont ensuite post-traités, refroidis et découpés en plaquettes pour traitement ultérieur ou conditionnés pour expédition. La vitesse de dépôt du réacteur AMAT CENTURA peut être contrôlée pour assurer l'obtention de couches minces ayant de bonnes propriétés de surface. L'utilisation d'un système avancé de distribution de gaz réduit le temps de production pour un seul cycle de wafer et améliore le contrôle des processus. MATÉRIAUX APPLIQUÉS La capacité du système CENTURA à produire des films minces de taille et de forme extrêmement uniformes en fait un choix idéal pour les fabricants de composants en couches minces tels que les MEM, les circuits intégrés et les cellules photovoltaïques. Sa capacité à contrôler avec précision la vitesse de dépôt, l'uniformité et les caractéristiques du film en font un outil puissant dans le processus de fabrication de la microélectronique.
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