Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA #9293686 à vendre en France

AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA
ID: 9293686
System.
AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA est un réacteur à plasma haute densité (HDP) qui utilise une combinaison unique de haute fréquence, courant alternatif (AC) et plasmas H2 thermalisés intenses pour créer des plaquettes hautement fiables et performantes. Le réacteur HDP AMAT CENTURA utilise la combinaison d'une plate-forme de support multi-plaquettes de grande surface avec un système de chauffage céramique à haute température pour créer une fenêtre de processus capable d'obtenir des dimensions critiques ultra-étroites et de déposer simultanément des matériaux avancés. Ce réacteur dispose d'un cycle thermique rapide pour l'optimisation rapide des processus, avec une capacité de débit de gaz réglable et une surveillance avancée des processus. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur CENTURA comporte également un chauffage à chambre sous vide pour minimiser les aberrations sur les échantillons, ainsi que des chambres avec diverses pressions et températures qui peuvent être ajustées pour répondre aux recettes de procédé désirées. Le réacteur dispose d'une zone de chargement multi-plaquettes unique qui peut accueillir des plaquettes jusqu'à 300mm de diamètre et permet également à l'utilisateur de charger et décharger plusieurs plaquettes en un seul lot. De plus, le mandrin électrostatique spécial et la stabilisation active offrent une uniformité inégalée pour maximiser le rendement avec un minimum de frais généraux de procédé. Le réacteur CENTURA a la flexibilité d'appliquer tout procédé plasmatique désiré pour le chronométrage et la gravure. Il permet à l'utilisateur d'utiliser des recettes spécifiques avec différents mélanges de gaz, pressions et niveaux de puissance RF pour produire des structures diverses. Il fournit également une profondeur de gravure efficace, une anisotropie élevée, et une rugosité de surface faible. Le moteur d'AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA est une source de plasma à couplage inductif (ICP), adaptée à la fois au dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) et aux procédés de gravure pour les matériaux à semiconducteurs composés et au silicium. La source du PIC dans le réacteur AMAT CENTURA fournit du plasma à très haute densité et peut également être réglée de manière à assurer une bonne uniformité sur chaque plaquette sur les quantités de plaquettes de 4 pouces et de 12 pouces. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur CENTURA utilise la zone de chargement multiwafer unique qui minimise les non-uniformités de wafer à wafer et maximise les données de processus, le débit et la rentabilité. Il dispose également d'une capacité d'accès automatisé à la chambre qui élimine la nécessité d'ouvrir la chambre en cours de fonctionnement, assurant la stabilité des paramètres du processus. En outre, la plate-forme de support multi-plaquettes unique dans le réacteur CENTURA est optimisée pour la surface et l'uniformité des plaquettes, offrant un rendement et un débit nettement améliorés. En conclusion, le réacteur AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA est la solution idéale pour exiger la gravure, le dépôt et l'optimisation des procédés. Grâce à sa haute performance et à ses fonctionnalités avancées, le réacteur AMAT CENTURA peut fournir un traitement ultra-rapide pour un large éventail d'applications. Avec sa grande évolutivité des procédés, ses recettes faciles à utiliser et son plasma haute densité, le réacteur APPLIED MATERIALS CENTURA est l'outil ultime pour relever les défis extrêmes des procédés.
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