Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA #9412368 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA est un système avancé utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs et les procédés de dépôt de couches minces. Il se compose d'un réacteur intégré et d'un contrôleur de procédé intégré, permettant un contrôle précis des températures, des pressions, des taux de dépôt et d'autres paramètres connexes. AMAT CENTURA peut être utilisé pour la fabrication de petites molécules, de grosses molécules et de couches minces. Le réacteur est constitué d'un cylindre de quartz, enfermé dans une chambre à vide cylindrique. Le cylindre à quartz contient un certain nombre de forages indépendants alignés sur une seule cathode centrale. Cette disposition permet la formation d'un champ électrique uniforme entre la cathode centrale et les trous de burr, facilitant un contrôle précis du processus de dépôt. La chambre à vide est celle où le gaz de procédé est introduit et la réaction a lieu. Le haut de la chambre comporte une fenêtre à travers laquelle différentes techniques de sondes optiques peuvent être utilisées pour observer et contrôler le processus. Le fond de la chambre comporte un mandrin électrostatique qui sert à maintenir les plaquettes de substrat pendant le traitement. MATÉRIAUX APPLIQUÉS CENTURA dispose d'un contrôleur de processus intégré puissant qui permet un contrôle précis des températures, des pressions, des puissances RF et d'autres paramètres connexes. Une interface utilisateur graphique peut être utilisée pour définir les paramètres du processus, ainsi que pour visualiser les données expérimentales générées. Le contrôleur de processus comprend également un système de réglage automatique des processus, qui permet à CENTURA d'ajuster automatiquement les paramètres pour obtenir la performance optimale du processus. Le gaz de procédé est introduit dans la chambre à vide par un ensemble de tuyauteries et de vannes, selon le type de procédé utilisé. Par exemple, dans le dépôt d'oxyde de silicium, on utilise habituellement du silane et de l'azote. Des régulateurs de pression sont utilisés pour réguler la quantité de gaz de procédé qui est introduite dans la chambre, qui peut aller de quelques millibars à plusieurs centaines de millibars. Dans le processus de dépôt, deux types de sources de pulvérisation sont utilisés : le plasma à couplage inductif (PIC) et la pulvérisation magnétron à courant continu (DC). Une alimentation RF ou DC est utilisée pour créer un champ électrique entre le matériau cible et le substrat. Ce champ électrique produit des ions qui transfèrent ensuite le matériau à la surface du substrat. Une fois le procédé terminé, le substrat est alors déchargé de AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA et le procédé revient automatiquement en mode veille. AMAT CENTURA est un système polyvalent et très fiable largement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs et les procédés de dépôt de couches minces. Son contrôleur de processus intégré permet un contrôle précis des températures, des pressions, des taux de dépôt et d'autres paramètres connexes. Il est largement utilisé dans la fabrication de petites molécules, de grandes molécules et de couches minces pour diverses applications industrielles.