Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Chamber for Endura II #293777877 à vendre en France

AMAT Chamber for Endura II, 12 "est un équipement de réacteur polyvalent et avancé conçu pour la fabrication à haut volume de dispositifs semi-conducteurs. Cette chambre de réacteur est un composant clé de la plate-forme Endura II, largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour divers procédés de dépôt en couches minces. Il est fabriqué par APPLIED MATERIALS, un des principaux fournisseurs d'équipements pour l'industrie des semi-conducteurs. La chambre du réacteur est spécialement conçue pour le traitement de plaquettes de silicium de 12 pouces (300 mm), qui sont la taille standard utilisée dans la fabrication moderne de semi-conducteurs. La taille plus grande de la plaquette permet d'augmenter la productivité et le rapport coût-efficacité dans la production de dispositifs semi-conducteurs par rapport à la taille plus petite de la plaquette. La chambre est équipée de caractéristiques et de technologies avancées pour obtenir un dépôt précis et uniforme de couches minces sur la surface de la plaquette. Le dépôt de couches minces est un processus critique dans la fabrication de semi-conducteurs, car il implique le dépôt de couches minces de matériau sur la plaquette pour créer les structures et les motifs nécessaires aux dispositifs semi-conducteurs. Une des caractéristiques clés de AMAT/APPLIED MATERIALS Chamber pour Endura II, 12 "est sa capacité à vide élevé. La chambre est capable de réaliser et de maintenir des conditions de vide ultra-élevé, qui sont essentielles pour minimiser la contamination et obtenir un dépôt en couches minces de haute qualité. Le système de vide comprend des pompes et des vannes de pointe pour créer un environnement contrôlé à l'intérieur de la chambre. La chambre du réacteur est également équipée d'un mécanisme de chauffage pour contrôler la température de la plaquette pendant le processus de dépôt. Le contrôle de la température est essentiel pour obtenir les propriétés de film souhaitées et assurer l'uniformité sur toute la surface de la plaquette. Le mécanisme de chauffage peut être précisément commandé pour maintenir la plaquette à la température optimale pour le processus de dépôt. En plus du contrôle de température, la chambre dispose d'une unité de distribution de gaz qui permet un contrôle précis des gaz de dépôt utilisés dans le procédé. La machine de distribution de gaz comprend des régulateurs de débit massique et des vannes pour réguler avec précision les débits des gaz, assurant un mélange et une distribution appropriés sur la surface de la plaquette. La chambre est conçue avec un mandrin de plaquette multi-zones qui permet un contrôle indépendant de la température dans différentes régions de la plaquette. Cette caractéristique permet une plus grande souplesse dans le processus de dépôt, permettant d'appliquer des profils de température différents à des régions spécifiques de la plaquette selon les besoins. En outre, la chambre du réacteur est équipée d'un outil sophistiqué de génération de plasma pour des procédés de dépôt améliorés par plasma. Le dépôt renforcé par plasma est une technique courante utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs pour améliorer la qualité des films et les taux de dépôt. L'actif de génération de plasma dans la chambre peut être contrôlé pour créer les conditions plasmatiques souhaitées pour des procédés de dépôt spécifiques. Dans l'ensemble, AMAT Chamber for Endura II, 12 "est un modèle de réacteur très avancé et fiable pour le dépôt de couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs. Ses caractéristiques avancées, ses mécanismes de contrôle précis et ses capacités de vide élevé en font un outil essentiel pour produire des dispositifs semi-conducteurs de haute qualité avec des performances et une fiabilité optimales.