Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS DPS G5 Mesa #9270845 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS DPS G5 Mesa est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) en silicium poly-cristallin conçu pour des applications de recherche et développement (R&D). Le réacteur CVD est capable de déposer du silicium mince de haute qualité sur des substrats de grande surface, avec une homogénéité et une répétabilité supérieures. Le G5 Mesa utilise des technologies de distribution à injection directe haute pression (DPI) pour créer une distribution homogène monocouche des gaz réactifs à la surface du substrat pour des procédés de haute qualité et à haut rendement. Le réacteur comprend également une source de plasma hyperfréquence basse pression pour augmenter l'uniformité, le débit et la productivité du procédé en fournissant une excellente qualité et uniformité du silicium sur des substrats de grande taille. Le réacteur se compose d'une chambre avec le module de procédé, l'équipement de contrôle du débit, la pompe à vide, le système de contrôle de la pression partielle/totale, l'unité de puissance, la machine de contrôle de la pression, l'outil de contrôle de la température, l'actif de distribution du gaz et le modèle de contrôle du processus. La chambre est chargée d'un support de substrat, et le socle comporte une source de gaz réactifs à injection directe et une source de plasma hyperfréquence. Le G5 Mesa dispose d'un dispositif de stockage mémoire à l'état solide, d'un contrôleur logique programmable (PLC) et d'une interface utilisateur graphique (GUI), qui permet aux utilisateurs de définir des paramètres de processus, de surveiller l'état et de recevoir des rapports. Le PLC permet un contrôle précis de tous les paramètres en temps réel. Il dispose également d'un équipement avancé d'acquisition de données, permettant l'enregistrement et la surveillance des pressions du système, des flux de gaz, des températures et des performances du générateur hyperfréquence en temps réel. Le G5 Mesa est conçu pour fonctionner dans une plage de température de 300-1000 ° C Il est également équipé de multiples fenêtres de processus, permettant aux développeurs de processus de contrôler les propriétés des films à différentes températures et niveaux de pression. En outre, le G5 Mesa offre une unité de régulation de débit haute pression, une source de plasma hyperfréquence basse pression et une machine d'arrêt automatique qui évite la contamination des échantillons et de l'atmosphère. Le réacteur de dépôt chimique en phase vapeur AMAT DPS G5 Mesa a été conçu pour assurer un dépôt efficace et fiable de monocouches homogènes de silicium sur des substrats de grande surface. Grâce à son interface graphique conviviale, à ses systèmes de contrôle des processus de précision et d'acquisition de données, à son DPI avancé et à sa source de plasma hyperfréquence basse pression, le G5 Mesa permet le dépôt de silicium à couches minces de haute qualité avec une homogénéité et une répétabilité supérieures.