Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Enabler #293600549 à vendre en France
URL copiée avec succès !
Appuyez sur pour zoomer
ID: 293600549
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2008
Etcher, 12"
Factory interface: FI 5.3
Centura AP Mainframe
RF Rack, 12"
Bias 2 RF generator rack
TOYOTA T100L LL/MF Dry pump
SHIMADZU TMP-3403LMC Turbo pump
DAIHEN RMN-50N6 matcher
Shower head assy, TKI SIC SGD, With Alum Plug, E5
12" Facilities interface box: wFIB, eFIB
Inner/Outer independent temperature control
Independent Gas injection: 2 gases for each step
Closer cooling and heating showerhead design
Power supply:
High bias RF power capacity: 7.5 kW (max combined power)
RF Frequency: 162 MHz Source, 13.56/2 MHz Bias
2008 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur catalyseur est un équipement avancé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) conçu pour la production de matériaux semi-conducteurs. Ce réacteur monobloc offre des performances de procédé robustes, fiables et répétables en utilisant une chambre CVD ultra basse pression et un système de refroidissement Homura breveté. Le réacteur AMAT facilitateur offre un dépôt en couches minces de haute qualité à des températures allant jusqu'à 850 ° C et est bien adapté à la production de composés tels que le dioxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (SiNx) et le carbure de silicium (SiCX). MATÉRIAUX APPLIQUÉS L'unité de refroidissement unique et brevetée Homura du réacteur de catalyseur réduit considérablement les temps de cycle de processus en utilisant une disposition innovante des impulsions gazeuses pour extraire la chaleur des plaquettes. Cela permet un dépôt de couches plus minces et des taux de croissance plus rapides par rapport aux réacteurs traditionnels non refroidis par Homura. Facilitateur dispose également d'une conception conviviale, d'une machine de contrôle intuitive et d'une interface utilisateur graphique. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur catalyseur utilise le procédé CVD pour déposer avec précision des couches minces de matériaux semi-conducteurs spécifiques et permet d'optimiser les propriétés des matériaux semi-conducteurs (tels que la contrainte de compression ou de traction, la porosité, la granulométrie, l'homogénéité de la composition) avec une grande précision. L'outil assure également l'uniformité du dépôt de films pour les plaquettes de différentes tailles, niveaux et multiples opérations de dépôt avec un refroidissement rapide et une excellente uniformité. Les flux homogènes de gaz, les paramètres prédéfinis du procédé et la méthode avancée de chauffage des gaines fournissent des résultats fiables et reproductibles et une excellente uniformité. En outre, le réacteur AMAT facilitateur dispose d'actifs de gestion thermique avancés (TMS) avec des vitesses de refroidissement variables et des zones à basse température pour prévenir les dommages ou la sursaturation des matériaux. Ceci est possible grâce à la puissance du TMS du réacteur, qui permet de contrôler exactement la vitesse de refroidissement. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur catalyseur est un outil robuste, fiable et reproductible pour la production de matériaux semi-conducteurs et il est très apprécié dans l'industrie pour ses performances et sa répétabilité supérieures. Ce réacteur de pointe offre beaucoup de flexibilité à l'utilisateur, qui peut personnaliser et profiler le dépôt en fonction de ses besoins. La capacité d'obtenir un contrôle exact du procédé de dépôt et d'obtenir une homogénéité totale est l'un des plus grands avantages du réacteur facilitateur et rend le réacteur adapté à diverses applications de semi-conducteurs.
Il n'y a pas encore de critiques