Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Endura CL #9170919 à vendre en France

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ID: 9170919
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2002
PVD System, 12" Mainbody type: CL (Classic) Chamber A: For Al-Cu PVD chamber DCPS: Master, OPTIMA DCG-200, ENI, for PA D Slave, OPTIMA DCG-200, E.VI SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump HT ESC Type stage Ar: 200/20 Sccm Chamber B: Chamber only for PVD Chamber C: For TiN PVD chamber DCPS: OPTIMA DCG-200, ENI SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump A101 Type stage Ar/N2: 150/200 Sccm Chamber D: For pre-CLN chamber, PCXT RFPS: GHW-12A/GMW-25A, ENI, for BIAS / SLA SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump Ar: 200/20 Sccm Chamber E, F: For DEGAS, Plate heater SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump Ar, Pressure controlled Missing parts 2002 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Le réacteur Endura CL est un équipement de traitement thermique rapide (RTP) conçu pour le traitement des plaquettes semi-conductrices et d'autres applications de fabrication de couches minces. C'est un système de dépôt chimique en phase vapeur qui peut être utilisé pour appliquer des films de divers matériaux sur une variété de substrats. La chambre est conçue pour assurer une répartition uniforme de la température sur le substrat et un traitement uniforme avec un contrôle précis du transfert d'énergie thermique. L'unité dispose d'une manutention automatique du substrat, d'une vanne basse pression pour varier les temps de traitement et l'utilisation du gaz, et d'un pyromètre intégré pour un contrôle précis de la température. Le réacteur AMAT Endura CL est équipé de quatre éléments standard constitués d'un tube à quartz, d'un réflecteur à quartz, de fenêtres à quartz et de chauffages au silicium. Le tube à quartz abrite le gaz de procédé et assure une distribution uniforme du gaz au substrat lors du dépôt. Le réflecteur à quartz permet de réfléchir et d'homogénéiser l'énergie thermique générée au substrat et au reste des parois de la chambre. Les fenêtres à quartz agissent comme des joints transparents qui permettent de voir le processus depuis l'extérieur de la chambre. Les chauffages au silicium assurent le contrôle thermique du procédé et sont isolés thermiquement de la chambre de réaction pour un transfert thermique efficace. La machine est conçue pour fonctionner dans une gamme de kilovolts et a une température maximale de 1150 ° C Il intègre également un outil de contrôle multi-zones performant qui permet un contrôle précis de la température et une répartition uniforme de la température à l'intérieur de la chambre. L'actif est capable de contrôler à la fois la pression et la température, ainsi que le débit des gaz de procédé. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Endura CL est conçu pour des procédés de dépôt reproductibles, fiables et reproductibles. Il est capable de déposer un large éventail de matériaux sur une variété de substrats, y compris l'oxyde, les métaux et les matériaux semi-conducteurs, pour une utilisation dans une diversité d'applications de dispositifs semi-conducteurs. Ce modèle offre une large fenêtre de processus pour le fonctionnement avec une large gamme de gaz, ce qui en fait un équipement idéal pour une variété de processus de développement de semi-conducteurs et d'autres couches minces.
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