Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect #9392312 à vendre en France
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Vendu
ID: 9392312
Physical Vapor Deposition (PVD) System, 12"
Process: Reflowsput
Chamber Position
C- Process type reactive PC
Process type SIP Ti: 1 And 5
Process type ALPS: 2
HT Al: 3 And 4
D - RT DSTTN
Process Type: Reactive PC
Chamber position: C
Chamber body:
Al
Part number: 0040-76718
Slit valve
Seal: Bonded
Door part number: 0040-84391
Bias Generator Frequency: 13.56 MHz and 2 MHz(In one generator)
RF:
Coil generator: COMDEL CDX-2000
Match box: 0010-21748 / 0010-52033
AMAT / APPLIED MATERIALS Part number : 0190-23308
Adaptor part/number: 0041-02659
Upper shield part/number: BELLJAR 0040-55456
Treatment (Arc spray / bead blast): AL2O3
Lower shield part/number: 0040-86514
Treatment (Arc spray / bead blast): Bead Blast
inner / mid shield part/number: 0021-19342
Shield clamp part/number: 0020-19258
Inner / mid shield clamp part/number: Insulator 0200-01903
Cryo gate valve (2/3 Pos): PENDULUM
MFC 1
Gas: He
Cal Factor: 1
Size: 300
Type: He
Part number: 0010-44160
MFC 2
Gas: Ar2
Cal Factor: 1
Size: 200
Type: Ar
Part number: 3030-13113
MFC 3
Gas: A
Cal Factor: 1
Size: 20
Type: Ar
Part number: 3030-13116
MFC 4
Gas: (MFC6) H2
Cal Factor: (MFC6) 1
Size: (MFC6) 100
Type: (MFC6) H2
Part number: (MFC6) 0015-02990
Chamber base pressure (T): 0.0000002
Chamber Rate of rise (nTorr / min): 15000
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
Optional Gas (He): 30.1
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow (GPM): 0.8
Process type: SIP Ti
Chamber position: 1,5
Shutter option
chamber body:
(Al or SST): SS
Part number: 0040-98657
Slit valve:
Seal: Bonded
Valve door part number: 0040-84391
Target:
Vendor: Nikko/Tosoh
Bakeout / idle power (%): 0.4
DC Power supply (AE-MDX): AE-Pinnacle
AMAT Part number Master: 0190-08122
AMAT Part number Slave: 0190-08122
Generator size : 20kw
DC (12 kwh, 24kwh): 40 kw
Bias generator : ENI - GHW12Z
AMAT Part number : 0190-25529
Bias Generator:
Size: 1.25KW
Frequency: 13.56 MHz
Rf Match Box: 0010-02372/0010-52034
Magnet:
Rotation speed (RPM): 65
Shim thickness: Ch1:1.25mm Ch5:1.0mm
Type: LP-3.7.4
Part number: 0010-11228
Target to magnet spacing (mm): 1.5 ± 0.6
Adaptor part number: 0040-82921
Kit spacer:
Upper part number: 0040-7694
Lower part number: 0040-62877
Upper shield part number: 0020-23549
Treatment:
(Arc spray/Bead Blast): Arc Spray
(Arc spray/Bead Blast): Bead Blast
Lower shield:
Part number: 0020-02344
Clamp part number: 0020-02348
Inner / mid shield:
Part number: 0020-54777
Clamp part number: 0020-08299
Dep ring part number: 0200-08301
Cover ring part number: 0021-17770
Insulator bushing part number: 0200-00590
Shutter: 0021-25014
Pedestal:
Type: SLT FDR E-CHUCK
Part number: 0010-22985
Heater spacing in steps: -55050
Maximum Cryo regen gas load (L): 400
Cryo gate valve (2/3 Pos): 3-Position
MFC 1:
Gas: N2
Size: 200
Type: N2
MFC 3:
Gas: Ar
Size: 50
Type: Ar
MFC 4:
Gas: ArH
Size: 20
Chamber base pressure (T): 2.0 e-8
Chamber Rate-of-Rise (nTorr / min): 522
Process supply pressure:
Ar 30psi
N2 30psi
Cryo regen N2 pressure: 90
Vent Ar pressure: 40
CDA: 88
Slit valve CDA: 82
Cooling water flow (GPM): 8.9
Vent Ar pressure: 47.7
Lower shield part number: 0021-22065
Upper shield part number: 0021-21234
Process type: (RT DSTTN)
Chamber position: D
Heater spacing:
55mm
Steps: -51000
Optional gas (He): 37.9
CDA: 95.7
Cooling water flow (GPM): 11.2.
AMAT/APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect (AMAT) intègre un design unique qui est spécifiquement conçu pour la production d'interconnexions à base d'aluminium. Ce réacteur est utilisé dans le développement de semi-conducteurs avancés et de dispositifs optoélectroniques. C'est un équipement idéal pour les technologies telles que les transistors à effet de champ organique (OFET) et les diodes électroluminescentes organiques (OLED). AMAT Endura II Aluminum Interconnect dispose d'un procédé de gravure anisotrope qui assure des interconnexions précises. Ceci est possible grâce au fonctionnement combiné d'une source de plasma à couplage inductif (ICP) et d'une source de plasma à basse pression qui permet la gravure de traces métalliques à haut rapport d'aspect avec des bords perpendiculaires, une faible résistance au contact et aucune perte excessive de métal. La source du PCI est combinée à une chambre de procédé résistive, basse pression, filtrée Ar-Cl2 (argon-chlore), avec un système intégré de régulation dynamique de la température, contrôlé par ordinateur. Cette combinaison fournit un traitement de liaison de précision, qui est capable de produire des caractéristiques de rapport d'aspect élevé, sans perte excessive de métal. Il est également équipé de l'unité Dynamic Pressure Control (DPC), qui garantit que les conditions de processus sont optimisées pour un meilleur contrôle des processus et une meilleure reproductibilité des conceptions d'interconnexions. Cette machine dispose également d'une interface utilisateur graphique moderne qui peut être utilisé pour contrôler les paramètres du processus. Il peut également importer et exporter des fichiers GDSII, permettant la conversion de conceptions existantes en format d'interconnexion APPLIED MATERIALS. Avec la possibilité de supporter la couverture et le contrôle de la couche angulaire via des commandes intuitives, une large gamme de plaquettes de processus peut être produite. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Endura II Aluminum Interconnect dispose également d'une technologie Filtered-Via qui est capable d'interconnexions à basse température avec une meilleure planéité et une faible résistance intrinsèque au contact. Cette fonctionnalité est supportée par un outil automatisé d'injection de polymère à basse température pour le filtre via des interconnexions. En conclusion, Endura II Aluminum Interconnect (AMAT/APPLIED MATERIALS) fournit une solution intégrée, précise, de haute productivité et peu coûteuse pour la production d'interconnexions avancées à base d'aluminium. Sa capacité à produire des traces métalliques à haut rapport d'aspect avec des bords perpendiculaires, une faible résistance au contact et aucune perte excessive de métal en fait un choix idéal pour les technologies optoélectroniques et semi-conductrices de nouvelle génération.
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