Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9195497 à vendre en France
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Vendu
ID: 9195497
PVD System
(4) Chambers
Process type: HT DSTTN
Chamber position: 1,2
Shutter option
Chamber body: SST
Chamber body part number: 0040-98657
Slit valve seal: Bonded
Slit valve door part number: 0040-84391
Target vendor: NIKKO
Target number: TAG72
DC Power supply (AE-MDX): ENI
APPLIED MATERIALS Part number master: 0190-22931
OEM Part number master: DCG200Z
Generator size: 20 kW
Total DC (12 kWh,24 kWh): 20 kW
Magnet rotation speed: 95 RPM
Magnet shim thickness: No data
Magnet type: TI / TIN
Magnet part number: 0010-03487
Magnet spacing: 1.0 mm
Adapter part number: 0040-69768
Upper shield part number: 0021-21234
Treatment: Bead blast
Lower shield part number: 0020-29706
Treatment: Bead blast
Dep ring part number: 0200-01080
Cover ring part number: 0021-22177
Treatment: Bead blast
Shutter: 0021-25014
Treatment: Bead blast
Pedestal type: HT ECHUCK
Pedestal part number: 0010-27430
Heater spacing: 55 mm
Heater spacing: -51000 Steps
Minimum heater spacing: 32 mm
Minimum heater spacing: -69000 Steps
Maximum heater spacing: 55 mm
Maximum heater spacing: -51000 Steps
CRYO Gate valve: (3) Positions
MFC 1 Gas: N2 Process
MFC 1 Size: 200
MFC 1 Type: N2
MFC 1 Part number: 0015-02992
MFC 2 Gas: None
MFC 3 Gas: Ar process
MFC 3 Size: 150
MFC 3 Type: Ar
MFC 3 Part number: 0015-02992
MFC 4 Gas: ArH
MFC 4 Size: 20
MFC 4 Type: Ar
Chamber base pressure (T): 3-E8
Chamber rate-of-rise: 650 nTorr / Min
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow: 11.2 GPM
Process type: RT DSTTN
Chamber position: 3,4
Shutter option
Chamber body: SST
Chamber body part number: 0040-98657
Slit valve seal: Bonded
Slit valve door part number: 0040-84391
Target vendor: NIKKO / TOSOH
Target number: TAG 72
Bake out / Idle power: 0.4 %
DC Power supply (AE-MDX): ENI
APPLIED MATERIALS Part number master: 0190-22931
OEM Part number master: DCG200Z
Generator size : 20 kW
Total DC (12 kWh,24kWh): 20 kW
Magnet rotation speed: 95 RPM
Magnet shim thickness: No data
Magnet type: TI / TIN
Magnet part number: 0010-03487
Magnet spacing: 1.1 mm
Adapter part number: 0040-69768
Upper shield part number: 0021-21234
Treatment: Bead blast
Lower shield part number: 0021-22065
Dep ring part number: 0040-07291
Cover ring part number: 0021-22064
Shutter: 0021-26609
Pedestal type: Advanced A101
Pedestal part number: 0010-27432
Heater spacing: 55 mm
Heater spacing: -51000 Steps
Minimum heater spacing: 32 mm
Minimum heater spacing: -69000 Steps
Maximum heater spacing: 55 mm
Maximum heater spacing: -51000 Steps
CRYO Gate valve: (3) Positions
MFC 1 Gas: N2 Process
MFC 1 Size: 200
MFC 1 Type: N2
MFC 1 Part number: 0015-02992
MFC 2 Gas: None
MFC 3 Gas: Ar process
MFC 3 Size: 150
MFC 3 Type: Ar
MFC 3 Part number: 0015-02992
Chamber base pressure: 3-E8 T
Chamber rate-of-rise: 650 nTorr / Min
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
CDA: 95.7
Silt valve CDA: 85
Cooling water flow: 11.2 GPM.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II est un appareil à double chambre d'oxydation/gravure/CVD/ALD utilisé pour des applications avancées de semi-conducteurs et la fabrication de dispositifs. Il est conçu pour fournir un débit élevé et une productivité accrue. Le système dispose d'une conception à deux chambres qui permet des opérations simultanées dans différentes chambres de processus, permettant un débit plus élevé et une uniformité améliorée. Les chambres disposent d'un contrôle de température indépendant avec une température maximale de fonctionnement de 1020 ° C AKT Endura II est capable de traiter le plasma haute densité (HDP), offrant un avantage dans les domaines de la gravure de précision, du dépôt par pulvérisation, du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et du dépôt par couche atomique (ALD). Ses capacités avancées de contrôle HDP permettent une gravure et une pulvérisation plus précises pour des résolutions de ligne plus fines et un dépôt plus fin pour les caractéristiques nanosifiées. De plus, l'unité supporte diverses sources de plasma, permettant l'utilisation d'une large gamme de matériaux. AMAT Endura II comprend également une surveillance en temps réel pour un contrôle fiable des procédés et des rendements plus élevés. L'interface utilisateur graphique conviviale (UI) permet l'automatisation des processus, permettant de commuter rapidement entre différents ensembles de recettes au besoin. Le GUI permet d'ajuster les recettes pour les structures de film avancées et les procédés de dépôt, ainsi que de visualiser les paramètres du niveau du substrat tels que la température, la pression et l'uniformité des plaquettes. La machine dispose également d'un module d'auto-correction avancé (ACM) qui fournit une méthode pour optimiser les résultats du processus avec moins d'intervention de l'utilisateur. Ce module permet aux utilisateurs de surveiller et d'ajuster les paramètres à la volée, assurant une meilleure uniformité et répétabilité des processus avec un minimum de temps d'arrêt. De plus, les fonctionnalités technologiques intelligentes telles que l'optimisation de recettes multiples, la manipulation intelligente des plaquettes et le contrôle précis des processus permettent d'améliorer les rendements et la qualité. Grâce à ses fonctionnalités et capacités avancées, APPLIED MATERIALS Endura II est un choix idéal pour le traitement avancé des semi-conducteurs, permettant aux utilisateurs d'atteindre un haut débit de production et une meilleure qualité de l'appareil. L'outil offre des performances, une fiabilité et une flexibilité supérieures pour augmenter les rendements et l'uniformité des processus.
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