Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9315356 à vendre en France
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ID: 9315356
Taille de la plaquette: 12"
PVD System, 12"
Wafer type: Notch
3E
(2) Impulse AIN chambers
Chamber A:
Location / Option
Position 1 / Impulse
Position 4 / Impulse
Position A / Cool down
Position B / Cool down
Position E / Dual mode degas
Position F / Dual mode degas
Line frequency: 50 Hz
No UPS / CVCF
Standard mainframe
Single wafer load locks: HT SWLL without degas module
XP Robot with enhanced high temperature wrists
Operating system: Windows XP
Rack
CTI-CRYOGENICS Cryo Pump
(2) Cryo compressors
Cryo compressor voltage: 400 V - 480 V
MFC Type: GF 125
Impulse: Position (2, 3)
Wafer pedestal E-chuck
Process kit type: TAOX
P/N: 1444245-00
Shutter
RGA Valve manual
Turbo cryo pump with water trap
Heat exchanger hose: 50 ft
Power supply: 10 kW, DC
(2) EDWARDS IH1000 Pump
Rough pump voltage: 208 V
Modular remotes umbilical:
AC Rack to rough pump: 75 ft
Mainframe to rack: 75 ft.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II est un réacteur avancé PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) de type par lots, de qualité de production, utilisé pour divers procédés de dépôt de substrat. Le réacteur AKT Endura II a une conception unique qui offre un dépôt de film avancé haute performance avec une uniformité et une précision améliorées. L'équipement est très modulaire et personnalisable et offre une large gamme de configurations en fonction de la taille du substrat et des exigences de dépôt. AMAT Endura II offre une variété de fonctionnalités d'amélioration des performances, dont une interface écran tactile LCD haute résolution et une interface utilisateur intelligente qui permet aux utilisateurs de choisir parmi une large gamme de paramètres pour adapter les performances du système. MATÉRIAUX APPLIQUÉS ENDURA II utilise également deux générateurs RF indépendants pour permettre un réglage optimisé du plasma en termes d'augmentation de l'homogénéité du film, de réduction des artefacts de forme polygonale, et d'amélioration de la sélectivité du procédé de dépôt. En outre, Endura II offre un nettoyage in situ efficace qui améliore l'intégrité du substrat et prolonge la durée de vie de la chambre de dépôt. AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT ENDURA II utilise une chambre en silicium polycristallin à profil cylindrique, qui offre une distribution de gaz accrue pour une meilleure homogénéité, améliorant le profil plasma et permettant le dépôt de substrats plus importants par des débits de décharge plus élevés. L'unité comprend un collecteur de gaz qui comprend jusqu'à quatre entrées de gaz permettant des processus de dépôt multi-gaz et trois canons ioniques à haute énergie en option pour la promotion de l'adhérence. Le réacteur est équipé d'une machine de commande automatisée, contribuant à améliorer la reproductibilité et le contrôle des processus. Les algorithmes de contrôle avancés, couplés au grand choix de paramètres disponibles sur l'interface utilisateur, permettent aux utilisateurs d'ajuster les réactifs plasma à un état souhaité, permettant un plus grand contrôle au cours du processus. AKT Endura II est un outil polyvalent qui offre une gamme d'avantages à l'utilisateur. En plus de la dispersion accrue des gaz et de l'uniformité améliorée, les multiples entrées de gaz et les options de nettoyage in situ en font une solution idéale pour les fabricants à la recherche d'une solution rentable et reproductible pour leurs processus de dépôt.
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