Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS MOCVD HP Standard #9007740 à vendre en France

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ID: 9007740
TXZ chambers Baratron gauge Harness cable Includes turbo pump and turbo pump controller 50' Signal cables 0240-27492 DLI on board chamber module 0010-11941 TxZ chamber assembly 0242-35908 TxZ chamber baratron kit 0021-35922 TxZ chamber body 0242-35628 TxZ chamber liner tool turbo kit 0010-36889 TxZ chamber pumping plate molded cover 0010-39306 TxZ heater left assembly 0010-08805 TxZ SAL lid assembly 0270-35134 TxZ View lid assembly 0242-35910 Window kit.
AMAT/APPLIED MATERIALS MOCVD HP Standard est un réacteur avancé de dépôt chimique en phase vapeur (MOCVD) pour la croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs composés III-V. Il est largement utilisé pour construire des couches minces de composés semi-conducteurs sur un substrat. Le réacteur est constitué d'une chambre chauffée, de deux tubes à quartz et d'un ensemble de sources de dépôt. La chambre du réacteur est équipée d'un mode à vide ultra-élevé, ce qui permet de créer un meilleur environnement atmosphérique pour des taux de croissance plus élevés. Cette chambre peut être chauffée jusqu'à 1000 ° C grâce à un puissant four à tubes en quartz à deux zones, permettant des films plus épais et une régulation précise des températures de croissance. De plus, la paroi résistante à la chaleur à haute température et les inserts de transfert linéaire réduisent au minimum les dépenses thermiques de la chambre. Par contre, les tubes à quartz sont utilisés pour séparer les zones active et passive du réacteur. De plus, ils permettent une répartition précise du réactif dans tout le volume de la chambre, en conservant une croissance régulière. L'ensemble des sources comprend également une source injectée pour les pastilles et une source de faisceau d'électrons pour les matériaux à source unique. AMAT MOCVD HP Standard dispose également d'une grande zone de croissance, avec les parois de la chambre constamment surveillée afin d'empêcher la gravure fil par grain. Ceci est fait par le système de contrôle de pression efficace, avec divers types de matériaux de protection. Afin d'assurer encore de bons résultats, l'activation des matériaux de base est effectuée après analyse approfondie de la concentration de dopage dans l'échantillon. En conclusion, MATÉRIAUX APPLIQUÉS MOCVD HP Standard est un réacteur avancé adapté à la croissance épitaxiale très efficace des matériaux semi-conducteurs composés III-V. Il comprend une chambre à vide ultra haute, de puissants tubes à quartz et un ensemble de sources de dépôt, ainsi que divers matériaux et systèmes de protection afin de maximiser la qualité des échantillons.
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