Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #293620069 à vendre en France

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ID: 293620069
Taille de la plaquette: 6"-8"
PECVD System, 6"-8" Dual chamber Auto loader for multi-substrate Chiller Pumps (2) Temperature chambers Spare parts Monitor Robot: 3-Phase Remote cables AMAT-0 Heat exchanger Standard AMAT / APPLIED MATERIALS slit valves with Viton O-rings (3) QDP Pumps: (2) QDP80/250 Process chamber pumps QDP40 Load lock pumps Manuals for pumps: Startup Chamber parts Temperature range: Up to 900°C Gases: C2H2, Ar, NH3, H2, N2 DxZ Chambers A and B: DxZ Ceramic heater DC 5 kW 1660 MFCs 100 Torr and 10 torr manometers Pressure control valve.
AMAT (APPLIED MATERIALS) AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 Mark II est un outil de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) utilisé pour le dépôt en couches minces. Le Mark II est un réacteur couplé capacitivement avec deux sources RF indépendantes, un équipement de refroidissement par étage, deux serrures de charge et deux chambres à vide indépendantes. Les deux chambres peuvent être utilisées en série ou en parallèle, ce qui permet de traiter une large gamme de gaz réactifs avec des recettes différentes. Les serrures de chargement contiennent des porte-échantillons de type broche à quartz, qui permettent le chargement et le déchargement rapides des plaquettes sans casser le vide. La chambre principale d'AMAT P5000 II marques existe à l'intérieur de la cavité de réacteur TITAN™. Cette cavité est en acier inoxydable et remplie d'une source de procédé à plasma inductif (ICP), ce qui permet de contrôler les paramètres de la source de plasma. La source du PIC a trois fréquences programmables comprises entre 13.56MHz et 27.12MHz, ce qui permet un contrôle précis des caractéristiques des rejets plasmatiques. MATÉRIAUX APPLIQUÉS P 5000 MARK II dispose également d'un système de refroidissement pour la chambre inférieure, qui permet de contrôler la température pour les processus sensibles. Le Mark II fournit une capacité de traitement pour les processus de faible (2-5mTorr) à haut vide (10-6-10-7 Torr). Il offre des vannes de pincement pour chaque chambre et peut être équipé d'un transporteur de gaz pour le préconditionnement du gaz et les débits de composition de gaz répétables. L'unité supporte également une large gamme de gaz, y compris O2, H2, Ar, He, N2, NF3, CF4 et SiH4. Le transporteur de gaz fournit un filtre d'entrée et, lorsque certains composants sont choisis, un filtre de sortie pour assurer la pureté des gaz réactifs. La machine a une variété de paramètres de contrôle de processus. Cela comprend la pression, la température et la polarisation de la chambre, ainsi que deux alimentations RF indépendantes et un réseau d'adaptation en option. Son contrôle des paramètres offre un biais DC et des capacités de balayage, permettant aux utilisateurs d'affiner leurs paramètres de dépôt. P5000 Mark II dispose également d'une interface de communication, permettant d'accéder à l'enregistrement des données et à d'autres paramètres de contrôle et de les modifier pour optimiser les processus. Le Mark II dispose également d'une fenêtre de visualisation de forme unique, permettant une visualisation directe des processus de dépôt et de gravure. Ceci permet une meilleure compréhension des procédés en cours sur les échantillons. En outre, le Mark II comprend la protection EOL, l'adaptation du dispositif, le plasma sans oxygène et une technique de refroidissement du substrat capable de maintenir des températures sur plaquette. Dans l'ensemble, P 5000 MARK II fournit une solution PECVD efficace, fiable et rentable pour un large éventail de procédés de dépôt et de gravure. Ses multiples chambres de process et accessoires de support, ainsi que sa vaste gamme de paramètres de contrôle de process, font des matériaux appliqués P5000 Mark II une solution idéale pour la recherche et les applications industrielles.
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