Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #9153739 à vendre en France

AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II
ID: 9153739
Taille de la plaquette: 8"
PVD System, 8" (3) Chambers / TEOS MXP Oxide chamber.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 Mark II est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à haute performance largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Il s'agit d'une chambre CVD améliorée par plasma qui fournit un environnement de haute qualité et performant pour la croissance des matériaux semi-conducteurs avancés. Le système comprend une chambre principale, un mandrin de substrat, un ensemble de tête de douche et une source de plasma. La chambre principale P5000 est construite avec une chambre à vide en acier inoxydable, revêtement isolant thermiquement, et une couche supérieure spéciale résistant à la gravure. Son mandrin de substrat en aluminium assure un contrôle précis de la température et un chauffage uniforme afin d'assurer un dépôt de film de haute qualité. La chambre est équipée d'un ensemble de dôme activement refroidi qui offre des performances améliorées, une homogénéité de température et une température de substrat uniforme. L'ensemble tête de douche, constitué d'un injecteur de gaz, est équipé d'une variété d'inserts tête de douche en quartz ainsi que de masques à cassettes et de mailles métalliques. Ceci permet un contrôle précis de la vitesse de croissance et de la composition du film à déposer. L'ensemble de la tête de douche se double également de suscepteur pour le traitement plasmatique de la plaquette. La source de plasma pour le P5000 est un générateur de RF couplé inductif de 13,56 MHz. Il fournit de la puissance RF à la chambre, permettant d'alimenter et d'ioniser le matériau semi-conducteur. Le générateur RF est également réglable dynamiquement, permettant un contrôle précis des processus de dépôt, d'oxydation et de gravure. AMAT P5000 Mark II est un réacteur CVD de pointe qui combine un contrôle précis du dépôt du film, un chauffage et un refroidissement uniformes du substrat et un réglage dynamique de la source de plasma pour offrir une fiabilité supérieure, un débit élevé et une qualité de film supérieure. C'est un outil inestimable pour l'industrie des semi-conducteurs, offrant une plate-forme cohérente et fiable pour la recherche et le développement de matériaux avancés.
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