Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #130202 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 est un réacteur conçu pour produire des films de nitrure de gallium (GaN) de grande surface. Ce réacteur permet la fabrication de composants optiques et électroniques à haut rendement. AMAT P-5000 utilise un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour déposer des films de GaN sur des substrats tels que le silicium, le saphir et le GaAs. Le réacteur est conçu avec un four à tube à quartz à haute température et contient une chambre de réaction à quartz. Le creuset de la chambre de réaction est chauffé à des températures comprises entre 800 ° C et 1000 ° C par le four, tandis qu'un gaz source contenant soit du GaN soit du SiGaN est introduit dans la chambre de réaction. Des vapeurs de précurseurs chimiques métallorganiques sont également fournies. Au sein de cette chambre de réaction, les précurseurs se décomposent pour former une suspension gazeuse d'azote et de gallium dirigée vers le substrat pour former un film homogène d'épaisseur plane et uniforme. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur P 5000 est équipé d'une grande variété d'options et de fonctionnalités de contrôle. Pour surveiller le processus à l'intérieur de la chambre de réaction, le réacteur est équipé de deux systèmes de régulation de température indépendants pour le substrat et la chambre de réaction. Cela permet de contrôler la température et la puissance de chauffage réglable, ainsi que le débit de gaz précis, la pression et le contrôle de la température. Le réacteur est également capable d'incorporer un réseau de procédés de croissance de cristaux de GaN à l'intérieur de la chambre de réaction, tels que MOVPE (épitaxie métallique en phase vapeur organique), HVPE (épitaxie en phase vapeur d'hydrure) et S-PDP (HVPE semé). Pour permettre une croissance cristalline efficace et contrôlée, les caractéristiques d'APPLIED MATERIALS P-5000 permettent de contrôler la pression totale à l'intérieur de la chambre de réaction, permettant un ajustement dynamique des températures, ainsi que l'incorporation d'étapes de conditionnement du gaz et de température. Le réacteur fournit également un ensemble distinct de régulateurs de température multi-zones, permettant un contrôle précis du processus de dépôt sur les surfaces cristallines et les substrats. De plus, le P 5000 est équipé d'une large gamme de dispositifs de sécurité qui protègent le personnel, tels qu'un éliminateur de charges diélectriques pour protéger les opérateurs contre les chocs électriques et un système de portes verrouillées pour empêcher l'accès non autorisé. Dans l'ensemble, le réacteur P 5000 AMAT/APPLIED MATERIALS est un outil de dépôt CVD fiable et robuste pour la fabrication de films GaN de grande surface avec des performances optimisées et uniformes.