Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9164732 à vendre en France
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Vendu
ID: 9164732
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1992
Etcher, 6"
Mainframe configuration:
Mainframe type: Mark II
I/O Wafer sensor: Yes
Software revision level: TBD
Expaneded VME: Yes
Mini-controller: Yes
Phase 3 Robot: Yes
Phase 3 cassette handler: Yes
Storage elevator
(8) Slots
Cassette platform: Standard
Wafer orienter: No
L/L Chamber bolt down lid: No
L/L Particle reduction kit: No
Gas Panel:
MFC manufacturer / model: UFC-1100A
Gas panel type:
Twelve lines main: No
Twenty-eight line onboard: No
Standard gas panel (28 Line capability): Yes
Remote gas panel: No
Chamber A MFC Size Gas Cal Gas
Gas 1 slm O2 N2
Gas 2 slm O3 He
Gas 3 slm C2F6 N2
Gas 3 slm NF3 N2
Gas 200 sccm N2 N2
Gas
Gas
Gas
Chamber B MFC Size Gas Cal gas
Gas 1 slm O2 N2
Gas 2 slm O3 He
Gas 3 slm C2F6 N2
Gas 3 slm NF3 N2
Gas 200 sccm N2 N2
Gas
Gas
Gas
Chamber C MFC Size Gas Cal gas
Gas 300 sccm CF4 N2
Gas 100 sccm Ar N2
Gas 100 sccm O2$ O2
Gas 50 sccm O2 N2
Gas
Gas
Gas
Chamber D MFC Size Gas Cal gas
Gas 300 sccm CF4 N2
Gas 100 sccm Ar N2
Gas 100 sccm O2$ O2
Gas 50 sccm O2 N2
Gas
Gas
Gas
Hot box configuration:
Hot box configuration: Phase IV
Ampoule 1: Yes
Ampoule 2: No
Ampoule 3: No
Ampoule 4: No
Ampoule 5: No
Ampoule 6: No
Ampoule 7: Yes
Process kit configuration:
Process application:
Chamber A: CVD TEOS
Chamber B: CVD TEOS
Chamber C: Etch MxP
Chamber D: Etch MxP
System electronics:
Slot # Description
1 MINI SBC: Yes
2 SBC: Yes
3 SEI: Yes
4 MIZER: No
5 AI: Yes
6 AO: Yes
7 VIDEO: Yes
8 AO: Yes
9 AI: Yes
10 STEPPER: Yes
11 STEPPER: Yes
12 STEPPER: Yes
13 STEPPER: Yes
14 DI/DO: Yes
15 DI/DO: Yes
16 DI/DO: Yes
17 DI/DO: Yes
18 DI/DO: No
19 DI/DO: No
20 DIO: No
Floppy drive: 5 ¼
Chamber position dependent configurations:
Chamber A:
Chamber type: CVD
Lid: STD
Chamber rough line: Yes
Chamber airline: Yes
Chamber interconnect PCB: Yes
Heat exchanger QD Fitting: Yes
Neslab facilities plumbing: Yes
Slit valve assembly: Yes
Reminton hinge slit valve: Yes
Automatic control gate valve: No
Backing pump circuit breaker: Yes
RF Generator power outlet: Yes
RF Generator circuit breaker: Yes
Magnet driver: No
Lamp driver: Yes
RF Match: Yes
Turbo controller: No
Turbo flow meter: No
Gate valve: No
Chuck type: Other susceptor
Chamber B:
Chamber type: CVD
Lid type: STD
Chamber rough line: Yes
Chamber airline: Yes
Chamber interconnect PCB: Yes
Heat exchanger QD fitting: Yes
Neslab facilities plumbing: Yes
Slit valve assembly: Yes
Reminton hinge slit valve: Yes
Automatic control gate valve: No
Backing pump circuit breaker: Yes
RF Generator power outlet: Yes
RF Generator circuit breaker: Yes
Magnet driver: No
Lamp driver: Yes
RF match: Yes
Turbo controller: No
Turbo flow meter: No
Gate valve: No
Chamber vent valve: Yes
Chuck type: Other susceptor
Chamber C:
Chamber type: MxP
Lid type: STD
Chamber rough line: Yes
Chamber airline: Yes
Chamber interconnect PCB: Yes
Heat exchanger QD fitting: Yes
Neslab facilities plumbing: Yes
Slit valve assembly: Yes
Reminton hinge slit valve: Yes
Automatic control gate valve: Yes
Backing pump circuit breaker: Yes
RF Generator power outlet: Yes
RF Generator circuit breaker: Yes
Magnet driver: No
Lamp driver: Yes
RF match: Yes
Turbo controller: Yes
Turbo flow meter: No
Turbo pump / controller type: Leybold
Gate valve: No
Chamber vent valve: Yes
Chamber D:
Chamber type: MxP
Lid type: STD
Chamber rough line: Yes
Chamber airline: Yes
Chamber interconnect PCB: Yes
Heat exchanger QD fitting: Yes
Neslab facilities plumbing: Yes
Slit valve assembly: Yes
Reminton hinge slit valve: Yes
Automatic control gate valve: Yes
Backing pump circuit breaker: Yes
RF Generator power outlet: Yes
RF Generator circuit breaker: Yes
Magnet driver: Yes
Lamp driver: No
RF match: Yes
Turbo controller: Yes
Turbo flow meter: No
Turbo pump / controller type: Leybold
Gate valve: No
Chamber vent valve: Yes
Remote frame:
Primary pump frame: No
Secondary pump frame: No
Stacked remote frame: yes
Stacked remote frame contents:
Heat exchanger
Ozone generator
(4) RF generators
Number of heat exchanger: 1
Water hoses: No
Hose fittings: QDC
Backing Pumps:
LL Chamber: No
Chamber A: No
Chamber B: No
Chamber C: No
Chamber D: No
RF Generators:
Chamber A: ENI 12A
Chamber B: ENI 12A
Chamber C: ENI 12A
Chamber D: ENI 12A
1992 vintage.
Le réacteur de dépôt en phase vapeur AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 est un outil de pointe qui permet un dépôt en couche mince complexe, reproductible, efficace et rentable. AMAT P-5000 dispose d'un grand espace de traitement intégré et automatisé qui offre plus de temps de traitement et plus d'options pour le transfert de substrat. LES MATÉRIAUX APPLIQUÉS P 5000 utilise également une source de plasma Aur leader dans l'industrie AMAT qui offre des capacités de traitement améliorées, un débit plus élevé et une plus grande conformité aux besoins changeants de l'industrie. P-5000 est conçu pour réduire le temps de processus et augmenter le débit, tout en assurant un dépôt optimal de couches minces sur une large gamme de flux de processus. Le système dispose du contrôleur de processus CIVAX, qui fournit aux utilisateurs le contrôle de l'ensemble du processus de dépôt à partir d'une plate-forme compacte et intuitive. Il peut être utilisé pour définir, surveiller et ajuster les paramètres de jusqu'à quatre chambres, ainsi que les recettes de magasin pour un accès ultérieur. AMAT P5000 comprend également la tête de dépôt améliorée Auralens qui fournit avantageusement un dépôt uniforme et une couverture conforme pour une gamme de films. AMAT P 5000 crée des films de haute précision avec une excellente uniformité. Il fournit des performances reproductibles et fiables pour toutes les applications en couches minces, répondant en fin de compte aux exigences pour les films haute performance. Le système élargit la gamme des substrats et peut accueillir des substrats rectangulaires et ronds, de petites plaquettes jusqu'à 8 pouces et jusqu'à 100 mm de disques. APPLIED MATERIALS P-5000 offre une flexibilité accrue des sources, ce qui permet aux utilisateurs de personnaliser les processus de dépôt. MATÉRIAUX APPLIQUÉS La source de dépôt en phase vapeur permet le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de films utilisant des films inorganiques et des composés chimiques précurseurs rares. Le système offre également AMAT/APPLIED MATERIALS PlanarMax Plasma Source, une source de plasma planaire conçue pour minimiser les dépôts indésirables sur les puits voisins. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur de dépôt en phase vapeur P 5000 est un outil automatisé qui offre des capacités de traitement améliorées, un débit plus élevé et une plus grande conformité aux besoins changeants de l'industrie, tout en assurant un dépôt optimal en couches minces sur un large éventail de procédés. Il offre une flexibilité accrue des sources et des capacités de taille de substrat accrues, permettant aux utilisateurs d'obtenir des films de haute précision avec une excellente uniformité, des performances reproductibles et fiables pour toutes les applications en couches minces.
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