Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9164732 à vendre en France

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Photo Utilisé AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 À vendre
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Vendu
Réacteurs
Fabricant
AMAT / APPLIED MATERIALS
Modèle
P5000
ID: 9164732
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1992
Etcher, 6" Mainframe configuration: Mainframe type: Mark II I/O Wafer sensor: Yes Software revision level: TBD Expaneded VME: Yes Mini-controller: Yes Phase 3 Robot: Yes Phase 3 cassette handler: Yes Storage elevator (8) Slots Cassette platform: Standard Wafer orienter: No L/L Chamber bolt down lid: No L/L Particle reduction kit: No Gas Panel: MFC manufacturer / model: UFC-1100A Gas panel type: Twelve lines main: No Twenty-eight line onboard: No Standard gas panel (28 Line capability): Yes Remote gas panel: No Chamber A MFC Size Gas Cal Gas Gas 1 slm O2 N2 Gas 2 slm O3 He Gas 3 slm C2F6 N2 Gas 3 slm NF3 N2 Gas 200 sccm N2 N2 Gas Gas Gas Chamber B MFC Size Gas Cal gas Gas 1 slm O2 N2 Gas 2 slm O3 He Gas 3 slm C2F6 N2 Gas 3 slm NF3 N2 Gas 200 sccm N2 N2 Gas Gas Gas Chamber C MFC Size Gas Cal gas Gas 300 sccm CF4 N2 Gas 100 sccm Ar N2 Gas 100 sccm O2$ O2 Gas 50 sccm O2 N2 Gas Gas Gas Chamber D MFC Size Gas Cal gas Gas 300 sccm CF4 N2 Gas 100 sccm Ar N2 Gas 100 sccm O2$ O2 Gas 50 sccm O2 N2 Gas Gas Gas Hot box configuration: Hot box configuration: Phase IV Ampoule 1: Yes Ampoule 2: No Ampoule 3: No Ampoule 4: No Ampoule 5: No Ampoule 6: No Ampoule 7: Yes Process kit configuration: Process application: Chamber A: CVD TEOS Chamber B: CVD TEOS Chamber C: Etch MxP Chamber D: Etch MxP System electronics: Slot # Description 1 MINI SBC: Yes 2 SBC: Yes 3 SEI: Yes 4 MIZER: No 5 AI: Yes 6 AO: Yes 7 VIDEO: Yes 8 AO: Yes 9 AI: Yes 10 STEPPER: Yes 11 STEPPER: Yes 12 STEPPER: Yes 13 STEPPER: Yes 14 DI/DO: Yes 15 DI/DO: Yes 16 DI/DO: Yes 17 DI/DO: Yes 18 DI/DO: No 19 DI/DO: No 20 DIO: No Floppy drive: 5 ¼ Chamber position dependent configurations: Chamber A: Chamber type: CVD Lid: STD Chamber rough line: Yes Chamber airline: Yes Chamber interconnect PCB: Yes Heat exchanger QD Fitting: Yes Neslab facilities plumbing: Yes Slit valve assembly: Yes Reminton hinge slit valve: Yes Automatic control gate valve: No Backing pump circuit breaker: Yes RF Generator power outlet: Yes RF Generator circuit breaker: Yes Magnet driver: No Lamp driver: Yes RF Match: Yes Turbo controller: No Turbo flow meter: No Gate valve: No Chuck type: Other susceptor Chamber B: Chamber type: CVD Lid type: STD Chamber rough line: Yes Chamber airline: Yes Chamber interconnect PCB: Yes Heat exchanger QD fitting: Yes Neslab facilities plumbing: Yes Slit valve assembly: Yes Reminton hinge slit valve: Yes Automatic control gate valve: No Backing pump circuit breaker: Yes RF Generator power outlet: Yes RF Generator circuit breaker: Yes Magnet driver: No Lamp driver: Yes RF match: Yes Turbo controller: No Turbo flow meter: No Gate valve: No Chamber vent valve: Yes Chuck type: Other susceptor Chamber C: Chamber type: MxP Lid type: STD Chamber rough line: Yes Chamber airline: Yes Chamber interconnect PCB: Yes Heat exchanger QD fitting: Yes Neslab facilities plumbing: Yes Slit valve assembly: Yes Reminton hinge slit valve: Yes Automatic control gate valve: Yes Backing pump circuit breaker: Yes RF Generator power outlet: Yes RF Generator circuit breaker: Yes Magnet driver: No Lamp driver: Yes RF match: Yes Turbo controller: Yes Turbo flow meter: No Turbo pump / controller type: Leybold Gate valve: No Chamber vent valve: Yes Chamber D: Chamber type: MxP Lid type: STD Chamber rough line: Yes Chamber airline: Yes Chamber interconnect PCB: Yes Heat exchanger QD fitting: Yes Neslab facilities plumbing: Yes Slit valve assembly: Yes Reminton hinge slit valve: Yes Automatic control gate valve: Yes Backing pump circuit breaker: Yes RF Generator power outlet: Yes RF Generator circuit breaker: Yes Magnet driver: Yes Lamp driver: No RF match: Yes Turbo controller: Yes Turbo flow meter: No Turbo pump / controller type: Leybold Gate valve: No Chamber vent valve: Yes Remote frame: Primary pump frame: No Secondary pump frame: No Stacked remote frame: yes Stacked remote frame contents: Heat exchanger Ozone generator (4) RF generators Number of heat exchanger: 1 Water hoses: No Hose fittings: QDC Backing Pumps: LL Chamber: No Chamber A: No Chamber B: No Chamber C: No Chamber D: No RF Generators: Chamber A: ENI 12A Chamber B: ENI 12A Chamber C: ENI 12A Chamber D: ENI 12A 1992 vintage.
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Le réacteur de dépôt en phase vapeur AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 est un outil de pointe qui permet un dépôt en couche mince complexe, reproductible, efficace et rentable. AMAT P-5000 dispose d'un grand espace de traitement intégré et automatisé qui offre plus de temps de traitement et plus d'options pour le transfert de substrat. LES MATÉRIAUX APPLIQUÉS P 5000 utilise également une source de plasma Aur leader dans l'industrie AMAT qui offre des capacités de traitement améliorées, un débit plus élevé et une plus grande conformité aux besoins changeants de l'industrie. P-5000 est conçu pour réduire le temps de processus et augmenter le débit, tout en assurant un dépôt optimal de couches minces sur une large gamme de flux de processus. Le système dispose du contrôleur de processus CIVAX, qui fournit aux utilisateurs le contrôle de l'ensemble du processus de dépôt à partir d'une plate-forme compacte et intuitive. Il peut être utilisé pour définir, surveiller et ajuster les paramètres de jusqu'à quatre chambres, ainsi que les recettes de magasin pour un accès ultérieur. AMAT P5000 comprend également la tête de dépôt améliorée Auralens qui fournit avantageusement un dépôt uniforme et une couverture conforme pour une gamme de films. AMAT P 5000 crée des films de haute précision avec une excellente uniformité. Il fournit des performances reproductibles et fiables pour toutes les applications en couches minces, répondant en fin de compte aux exigences pour les films haute performance. Le système élargit la gamme des substrats et peut accueillir des substrats rectangulaires et ronds, de petites plaquettes jusqu'à 8 pouces et jusqu'à 100 mm de disques. APPLIED MATERIALS P-5000 offre une flexibilité accrue des sources, ce qui permet aux utilisateurs de personnaliser les processus de dépôt. MATÉRIAUX APPLIQUÉS La source de dépôt en phase vapeur permet le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de films utilisant des films inorganiques et des composés chimiques précurseurs rares. Le système offre également AMAT/APPLIED MATERIALS PlanarMax Plasma Source, une source de plasma planaire conçue pour minimiser les dépôts indésirables sur les puits voisins. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur de dépôt en phase vapeur P 5000 est un outil automatisé qui offre des capacités de traitement améliorées, un débit plus élevé et une plus grande conformité aux besoins changeants de l'industrie, tout en assurant un dépôt optimal en couches minces sur un large éventail de procédés. Il offre une flexibilité accrue des sources et des capacités de taille de substrat accrues, permettant aux utilisateurs d'obtenir des films de haute précision avec une excellente uniformité, des performances reproductibles et fiables pour toutes les applications en couches minces.
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