Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9168800 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 est un réacteur de nouvelle génération à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) qui est utilisé pour déposer une large gamme de dispositifs à couches minces, tels que les transistors silicium sur isolant (SOI), les circuits intégrés à couches minces et d'autres matériaux optoélectroniques. AMAT P-5000 est capable de l'opération tant dans la fournée que dans les configurations inline et fournit le taux élevé, la déposition de film mince de haute qualité sur grand substrates, avec le matériel résultant ayant la performance d'appareil excellente. La clé de son rendement supérieur est l'utilisation d'une source de plasma à couplage inductif (ICP) et d'une source de plasma à couplage capacitif (CCP). La source du PIC génère un plasma très efficace et uniforme, qui peut être réglé avec précision pour modifier les vitesses de réaction du plasma, tandis que la source du PCC fournit une vitesse de réaction du plasma relativement faible. Le système de distribution de flux gazeux de MATÉRIAUX APPLIQUÉS P 5000 optimise encore l'uniformité et la vitesse de réaction du plasma créé. De plus, APPLIED MATERIALS P-5000 utilise une électrode supérieure à température contrôlée, réglable jusqu'à 600 ° C avec la capacité d'appliquer une polarisation négative sur les électrodes, P-5000 fournit d'excellents résultats de dépôt en couches minces sur de grands substrats. L'AMAT P 5000 bénéficie également de niveaux extrêmement faibles de formation de particules et de défauts, en raison du manque de sources de précurseurs de particules et de l'utilisation d'un système optimisé de distribution du flux de gaz. De plus, la source de plasma à couplage caoïdal (PCC) fournit un moyen efficace d'assurer une bonne uniformité du film sur de grandes surfaces. Dans l'ensemble, AMAT/APPLIED MATERIALS P-5000 fournit des résultats de dépôt en couches minces supérieurs sur de grands substrats et est un excellent choix pour ceux qui recherchent un procédé PECVD de haute qualité et à haut débit. L'utilisation de la source ICP pour une plus grande efficacité et uniformité du plasma, combinée à la source CCP pour fournir des taux de réaction plus faibles et une meilleure uniformité du film, et la capacité d'ajuster la température et la polarisation, font de P 5000 un excellent système de PECVD.