Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9383379 à vendre en France

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ID: 9383379
CVD System SNNF, 8" Wafer shape: 25-Slot SNNF Main frame: Loadlock: Standard Buffer chamber robot: Standard Process chamber (PECVD): Position A, B and C Cassette stage: Position: A and B Clamp on cassette 25-Slots Storage elevator: Center find 4-Slots Buffer chamber: Buffer type: Standard Load lock : Slow and fast Vent type: Venting and diffuser Load lock pumping type: Fast load lock pumping Slit valve: Bonded Wafer detector: Blade cap and vac sensor Gas / Pressure: Gas feed: Top Filters: MILLIPORE / PALL Pneumatic valves: Nupro / Veriflow Chamber pressure gauge: MKS 10 Torr Chamber foreline TC gauge: VARIAN Gas for chamber A: Gas / MFC SiH4 / 500 sccm N2 / 100 sccm N2O-H / 3000 sccm NF3 / 20 sccm N2O / 300 sccm Cl2 / 100 sccm Gas for chamber B: Gas / MFC SiH4 / 500 sccm N2 / 100 sccm N2O-H / 3000 sccm NF3 / 20 sccm N2O / 300 sccm Cl2 / 100 sccm Gas for chamber C: Gas / MFC O2 / 00 sccm CF4 / 20 sccm Ar / 100 sccm RF Generator and heat exchanger: ENI OEM-12B RF Generator: Chamber A and B ENI OEM-6 RF Generator: Chamber D RF match type: Phase-VI (2) RF Cable: 50ft CVD Heat exchanger type: AMAT-1 Heat exchanger signal cable: 32ft System local monitor: CRT with light pen Remote control cables (Analog, digital): (2) 50 FT Etchers Lift assembly Susceptor lift assembly Transfer robot Slit valve cylinder Wafer lift bellows Susceptor lift bellows Robot blade, 8" Throttle valve (Dual spring type) Belts in throttle valves DC Power cable: 50ft EMO Cable: 50ft Hard disk in VME Missing Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 250 A / 5-Wires.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 est un réacteur CVD à plasma utilisé pour la modification de surface et le dépôt d'une gamme de couches de matériaux. La technique de CVD Plasma utilisée par AMAT P-5000 est un procédé à basse pression qui utilise un mélange de gaz ionisés avec l'utilisation d'un plasma pour créer les réactions et les dépôts nécessaires à la modification de surface. La cuve à travers laquelle le procédé est effectué est en acier inoxydable et est à double paroi pour assurer un contrôle uniforme de la pression et de la température. La chambre est chargée d'un composant suffisamment grand pour répondre à divers besoins de procédé, disposé sur une électrode intégrée. L'intérieur de la cuve est alors scellé et une pompe commence à évacuer l'air et d'autres gaz, créant un vide à l'intérieur de la cuve scellée. La génération d'un plasma est réalisée en introduisant un mélange de gaz requis à grande vitesse et à basse pression, à travers la partie de la cuve. Un vide est réalisé à l'aide d'un générateur RF et d'une bobine inductrice. Le mélange de gaz est ensuite ionisé par le champ de haute énergie magnétiquement généré. Ce plasma fournit une concentration élevée d'électrons et d'ions qui peuvent décomposer les molécules et réagir avec le composant dans le vaisseau. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le P 5000 est bien connu pour sa flexibilité et sa robustesse, car il peut accueillir une variété de formes et de tailles de composants. Les procédés réalisables avec P-5000 comprennent le nitrurage, la gravure et le dépôt de silicium, entre autres. De plus, le système peut servir d'injecteur pour divers processus de dopage. La polyvalence des MATÉRIAUX APPLIQUÉS P-5000 en a fait un outil de travail pour de nombreux laboratoires de recherche dans l'industrie et les universités, et sa capacité à produire des résultats de haute qualité en font un choix privilégié pour une multitude de besoins de modification de surface. AMAT P5000 est une solution efficace, durable et fiable pour améliorer la surface des matériaux et la performance globale des composants.
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