Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9383379 à vendre en France
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Vendu
ID: 9383379
CVD System
SNNF, 8"
Wafer shape: 25-Slot SNNF
Main frame:
Loadlock: Standard
Buffer chamber robot: Standard
Process chamber (PECVD): Position A, B and C
Cassette stage:
Position: A and B
Clamp on cassette
25-Slots
Storage elevator:
Center find
4-Slots
Buffer chamber:
Buffer type: Standard
Load lock : Slow and fast
Vent type: Venting and diffuser
Load lock pumping type: Fast load lock pumping
Slit valve: Bonded
Wafer detector: Blade cap and vac sensor
Gas / Pressure:
Gas feed: Top
Filters: MILLIPORE / PALL
Pneumatic valves: Nupro / Veriflow
Chamber pressure gauge: MKS 10 Torr
Chamber foreline TC gauge: VARIAN
Gas for chamber A:
Gas / MFC
SiH4 / 500 sccm
N2 / 100 sccm
N2O-H / 3000 sccm
NF3 / 20 sccm
N2O / 300 sccm
Cl2 / 100 sccm
Gas for chamber B:
Gas / MFC
SiH4 / 500 sccm
N2 / 100 sccm
N2O-H / 3000 sccm
NF3 / 20 sccm
N2O / 300 sccm
Cl2 / 100 sccm
Gas for chamber C:
Gas / MFC
O2 / 00 sccm
CF4 / 20 sccm
Ar / 100 sccm
RF Generator and heat exchanger:
ENI OEM-12B RF Generator: Chamber A and B
ENI OEM-6 RF Generator: Chamber D
RF match type: Phase-VI
(2) RF Cable: 50ft
CVD Heat exchanger type: AMAT-1
Heat exchanger signal cable: 32ft
System local monitor: CRT with light pen
Remote control cables (Analog, digital): (2) 50 FT Etchers
Lift assembly
Susceptor lift assembly
Transfer robot
Slit valve cylinder
Wafer lift bellows
Susceptor lift bellows
Robot blade, 8"
Throttle valve (Dual spring type)
Belts in throttle valves
DC Power cable: 50ft
EMO Cable: 50ft
Hard disk in VME Missing
Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 250 A / 5-Wires.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 est un réacteur CVD à plasma utilisé pour la modification de surface et le dépôt d'une gamme de couches de matériaux. La technique de CVD Plasma utilisée par AMAT P-5000 est un procédé à basse pression qui utilise un mélange de gaz ionisés avec l'utilisation d'un plasma pour créer les réactions et les dépôts nécessaires à la modification de surface. La cuve à travers laquelle le procédé est effectué est en acier inoxydable et est à double paroi pour assurer un contrôle uniforme de la pression et de la température. La chambre est chargée d'un composant suffisamment grand pour répondre à divers besoins de procédé, disposé sur une électrode intégrée. L'intérieur de la cuve est alors scellé et une pompe commence à évacuer l'air et d'autres gaz, créant un vide à l'intérieur de la cuve scellée. La génération d'un plasma est réalisée en introduisant un mélange de gaz requis à grande vitesse et à basse pression, à travers la partie de la cuve. Un vide est réalisé à l'aide d'un générateur RF et d'une bobine inductrice. Le mélange de gaz est ensuite ionisé par le champ de haute énergie magnétiquement généré. Ce plasma fournit une concentration élevée d'électrons et d'ions qui peuvent décomposer les molécules et réagir avec le composant dans le vaisseau. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le P 5000 est bien connu pour sa flexibilité et sa robustesse, car il peut accueillir une variété de formes et de tailles de composants. Les procédés réalisables avec P-5000 comprennent le nitrurage, la gravure et le dépôt de silicium, entre autres. De plus, le système peut servir d'injecteur pour divers processus de dopage. La polyvalence des MATÉRIAUX APPLIQUÉS P-5000 en a fait un outil de travail pour de nombreux laboratoires de recherche dans l'industrie et les universités, et sa capacité à produire des résultats de haute qualité en font un choix privilégié pour une multitude de besoins de modification de surface. AMAT P5000 est une solution efficace, durable et fiable pour améliorer la surface des matériaux et la performance globale des composants.
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