Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS P5000W #9132652 à vendre en France
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ID: 9132652
Style Vintage: 1996
LPCVD system
(6) Chambers
Process: W-PLUG
1996 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000W est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD), spécialement conçu pour la recherche et la production de mémoire avancée et de dispositifs logiques. Le réacteur dispose d'une chambre à quartz avec un design robuste pour la capacité CVD (PECVD) classique et renforcée par plasma. La pression et la température à l'intérieur du réacteur sont toutes deux précisément contrôlées, pour un environnement de traitement optimal. L'équipement est également équipé de gaz de purge à l'azote pour la connaissance avancée des procédés. AMAT P5000W est livré avec une interface utilisateur intuitive fournissant un affichage en temps réel des données de pression et de température de la chambre de réaction. APPLIED MATERIALS P5000W offre également des fonctionnalités avancées telles que la métrologie opérationnelle automatique, permettant aux utilisateurs d'effectuer une variété de contrôles systématiques du système avec un minimum d'effort. Cela permet également une reproductibilité et une répétabilité précises du processus. À l'intérieur du réacteur CVD avancé, il y a un détecteur in situ pour la surveillance des espèces réactives ainsi que des relevés de température et de pression in situ avec une précision de 0,1 %, 0,2 %, 0,3 % et 0,5 %. L'unité intègre également une variété de capacités avancées de contrôle de processus, y compris la capacité multi-pression et les réglages de consigne automatisés. La conception de grande chambre de P5000W permet des débits élevés en raison des taux de croissance du film extrêmement faibles qui peuvent être atteints. Avec des cyclages thermiques rapides, les débits d'AMAT/APPLIED MATERIALS P5000W peuvent atteindre plus de 1000 plaquettes par heure. La grande capacité de la chambre permet également la circulation de grandes plaquettes et de substrats non conventionnels, tels que SOI ou saphir. Le réacteur est utilisé pour de nombreuses applications de mémoire et de dispositifs logiques tels que les interconnexions de cuivre, les couches d'obturation de tungstène, la coupe de contact et les couches de passivation d'oxyde et de nitrure. Il peut être utilisé pour les processus d'interconnexion en cuivre ou en couche de tungstène, avec une température, une pression et un contrôle des paramètres extrêmement précis atteignables à un niveau < 1 %. Il peut également réaliser une variété de procédés CVD non conventionnels, y compris des couches de passivation d'oxyde et de nitrure, des coupures de contact et des dépôts sans contact de tranchées à haut rapport d'aspect. Enfin, le réacteur a été conçu pour un entretien et un nettoyage faciles. La chambre et les composants sont faciles d'accès, et les outils nécessaires sont typiquement fournis avec la machine. En outre, l'intégration directe avec d'autres outils de processus est disponible via des capacités de communication numérique expansives, fournissant un contrôle des outils sans faille avec une optimisation maximale des processus.
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