Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Plasma II #9239745 à vendre en France

AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le plasma II est un réacteur de dépôt en couches minces utilisé pour diverses applications en couches minces. Le plasma II d'AMAT utilise un procédé de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) et peut fournir du nitrure de silicium de haute qualité, du dioxyde de silicium et d'autres couches minces. La chambre est conçue avec un obturateur interne permettant à l'utilisateur de contrôler la pression de l'atmosphère. L'atmosphère fermée offre une excellente uniformité de surface et de contrôle. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Plasma II dispose d'un équipement de chauffage optimisé, utilisant la technologie de chauffage résistif à double zone pour assurer un contrôle précis de la température. L'opérateur peut contrôler la température séparément pour les parties supérieure et inférieure de la chambre. Cela permet un contrôle précis des gaz volatils (COV) pendant le processus de formation du plasma et contribue à assurer l'uniformité des dépôts de matériaux. Le contrôle précis de la température permet également le contrôle précis des processus réactionnels lors du processus de dépôt. Le plasma II utilise une source de plasma pour augmenter la vitesse de réaction dans la chambre de réaction. Le plasma est généré à partir d'une source d'énergie radio-fréquence (RF) qui passe dans la chambre de réaction et est converti en plasma par un ensemble d'électrodes couplées magnétiquement, créant ainsi une formation de plasma sécurisée. Ce plasma aide à transformer les molécules précurseurs du matériau à couches minces en le film désiré. MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Plasma II est conçu avec un système de rotation à deux compartiments et peut tourner jusqu'à 1200 tr/min. L'unité de rotation aide à maintenir des températures uniformes sur la surface de l'échantillon ainsi qu'à augmenter le transport de masse, permettant la production rapide et efficace de films. Cette température uniforme permet également de réduire les contraintes thermiques à la surface de l'échantillon, ce qui conduit à des films de meilleure qualité. AMAT Plasma II est également conçu avec un régulateur de pression de base, permettant à l'opérateur de contrôler la pression de la chambre de réaction pendant le processus de dépôt. Il comporte également une machine à débit de gaz, permettant un contrôle précis du débit de gaz à l'intérieur de la chambre pour assurer la vitesse de dépôt et la composition souhaitées. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Plasma II utilise sa technologie de pointe et ses caractéristiques pour assurer un contrôle précis des processus de dépôt des matériaux en couches minces, ce qui donne des films de haute qualité et homogènes. L'outil avancé de régulation de température et de rotation permet également la croissance rapide et le dépôt de couches minces.