Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Producer CVD #9006107 à vendre en France
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Vendu
ID: 9006107
Style Vintage: 1999
System, 8"
(3) Twin XA Chambers, SACVD - BPSG
SNNF wafers
Standard Producer Frame CVD
TEOS/TEB/TEPO
STEC 4440 MFC's
Through the wall placement
Nanometrics 7000 Integrated Metrology
ATMI Chemical Refill System
Remote Clean - ASTeX
Advanced Energy: RFG 2000-2V CE - RF Generators
Original Controller with External PC
Enhanced Legacy Software: B2135
Neslab Steelhead 0
(2) Standalone Monitors: 1 / 15 ft. cable, 1/ 30 ft. cable
Heat Exchange/Chiller cable length: 50 ft.
Pump Cable length: 50ft.
200/208V, 60Hz
CE Marked
2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Le producteur CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est un réacteur utilisé dans la fabrication de couches minces de divers matériaux. Ce réacteur est couramment utilisé dans la réalisation de dispositifs semi-conducteurs, de circuits intégrés et d'afficheurs. Il permet le dépôt de diverses couches minces telles que du silicium polycristallin, du silicium amorphe, des oxydes, des nitrures et des métaux. AMAT Producer CVD utilise deux sources de plasma différentes, la radiofréquence (RF) et le courant continu (DC). Dans la source RF, les champs électriques RF sont utilisés pour exciter les molécules de gaz pour créer un plasma. Dans la source DC, des champs électriques DC sont utilisés pour alimenter les particules d'électrons dans les gaz combustibles pour créer un plasma d'électrons chauds. Ce plasma crée des réactions chimiques en phase gazeuse qui peuvent alors déposer les matériaux désirés sur le substrat de l'enceinte. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le CVD producteur se compose de divers composants, dont une chambre, une source de réactifs, un équipement de distribution de gaz, une unité de contrôle des procédés et un système de vide. La chambre est un espace cylindrique avec une électrode à lèvres en haut de la chambre et un porte-substrat en bas de la chambre. La source de réactif est composée de tiges sacrificielles, de sources évaporées/pulvérisatrices ou d'un réseau d'électrodes de tête de douche, qui pourraient être couramment utilisées pour graver la surface du substrat. L'unité de refoulement de gaz fournit des gaz d'entrée de la source vers la chambre qui seront ensuite excités dans un plasma par les deux sources de plasma de la chambre. Selon la recette à traiter, le nombre de gaz variera de un à dix. L'unité de contrôle du processus offre un contrôle et une surveillance avancés pour assurer la répétition du processus. La machine à vide fournit la pression de vide nécessaire pour créer le plasma. En résumé, le réacteur CVD producteur utilise des sources de plasma RF ou DC en combinaison avec divers réactifs pour déposer des couches minces sur un substrat. Il se compose d'une chambre, d'une source de réactif, d'un outil de distribution de gaz, d'une unité de contrôle des procédés et d'un actif sous vide. Ce réacteur est couramment utilisé dans la réalisation de dispositifs semi-conducteurs et de circuits intégrés.
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