Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Producer III #9223648 à vendre en France
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ID: 9223648
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2004
Shrink system, 8"
Process: SILCU
CIM
(3) Twin chambers
Hardware configuration:
SMIF: (4) ASSYST Indexers
Handler system:
SMIF Front end robot
VHP Buffer robot
(3) Process chambers
Heat exchanger: Steelhead
High RF generator: (4) RFG 2000-2V
DPA RF Generator: ENI DPG-10
Platform type: Producer shrink
Chamber A & B & C:
Chamber body effective volume (Syscon):
Chamber A: 12980
Chamber B: 13275
Chamber C: 13300
SiH4_H: 1 SLM
SiH4-L: 300 Sccm
NH3 HI: 1 SLM
N2O HI: 3 SLM
N2O LO: 500 Sccm
N2: 10 SLM
NH3: 500 Sccm
Ar: 5 SLM
He: 10 SLM
Number of gas lines / Name: 10
RF1 & RF2 Generator (Max Power / Brand): 2000 W
Foreline pump (EBARA AAS 100WN): 10000 L/Min
Baratron off-set 626 MKS: 10 T
Lift pin type: Free drop
Lift pin speed (Timing of movement): 3580
Load lock: A & B
Configuration:
Pump capacity (EDWARDS BOC): IPX 100A
Difuser: ENTEGRIS 60 PSIG
Venting N2 flow rate: 10 SLM
Venting time: 57 Sec
Pump time: 65 Sec
Baratron Range / Brand / Off-Set: 325 Moducell MKS
Pressure set point for LL pumping switching: 45 Sec
Time delay for LL door open: 10 Sec
Transfer chamber:
Type of robot / Robot blade: Super blade
Robot speed with wafer / Runrate / Slope:
300000 / 210000
230000 / 120000
Robot speed without wafer (Ext/Rot):
200000 / 325000
230000 / 325000
MFC N2 Flow setting: 10 SLM
Chamber base pressure ( Actual / Alarm): 208 mTorr
Wafer transfer - chamber: 300 mTorr
Buffer pressure transfer chamber - wafer: 320 mTorr
Other periphere:
SiH4 HI: 29.6, 30, 36
NH3 HI 27.6, 27.8, 29
CDA Pressure: 85
HX Temperature / Flow rate: 75
N2 (P): 27
SiH4 LO
NH3 LO
N2O: 30
NF3
2004 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le producteur III est un réacteur à plasma avancé pour la fabrication de puces semi-conductrices. AMAT Producer III utilise une source de résonance cyclotron électronique (ECR) pour créer un plasma uniforme à haute densité, qui est critique pour le dépôt de couches minces et précises de matériaux tels que les diélectriques à grille en silicium polycristallin et les interconnexions de cuivre dans la production de puces. MATÉRIAUX APPLIQUÉS La conception du producteur III permet un contrôle optimal des processus sur les systèmes existants. Ses volumes brevetés confinés en plaquettes et sa technologie à faible bruit maintiennent un dépôt extrêmement uniforme dans chaque zone de la plaquette. Le producteur III est également extrêmement économe en énergie, avec une consommation électrique réduite et un développement de chaleur collatéral minimal. Tout cela permet à AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III d'améliorer les pratiques de production de puces des fabricants de semi-conducteurs. AMAT Producer III s'appuie sur les précédents producteurs AMAT I et II en ajoutant plusieurs caractéristiques clés. Il fournit deux sources d'énergie RF distinctes qui peuvent contrôler indépendamment le dépôt du bas et du haut de la plaquette, permettant la croissance de plus de 200 couches. Il est également équipé d'un système propriétaire UHP (Ultra High Pressure) qui maintient un flux de gaz ultra-uniforme à travers la plaquette et régule plus précisément les conditions de processus. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le producteur III permet également une grande flexibilité du dépôt. Il peut appliquer un film uniforme sur l'ensemble de la plaquette ou sélectionner des zones selon l'application. Chaque zone a des paramètres programmables qui peuvent être ajustés pour les différents processus de dépôt, permettant à l'utilisateur de concevoir des processus personnalisés. Il a également des diagnostics avancés et l'enregistrement des données qui permettent l'analyse hors ligne du processus. Le producteur III est un réacteur à plasma très avancé conçu pour fournir les résultats de dépôt les plus précis et les plus reproductibles. Avec un meilleur contrôle des procédés, la flexibilité et l'efficacité énergétique, AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III offre un support inégalé pour les procédés de fabrication des puces.
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