Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Ultima X #293604378 à vendre en France

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ID: 293604378
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2007
System, 12" Front interface Light curtain Type: 5.3 FI YASKAWA LM Track robot with edge grip Wafer pass and storage: 2 Slot Wafer alignment system Centura AP Mainframe Transfer chamber LID: Clear LCF Chamber A: Gas ring: 30-Port NORCAL Gate valve SHIMADZU TMP-H3603 LMC-A1 Turbo pump MKS AX7670-16 IR Diagnostic (EPD) Standard upper chamber Chamber B: Gas ring: 30-Port NORCAL Gate valve EDWARDS STP-XH3203P Turbo pump MKS AX7670-16 Standard upper chamber TTV (Old type) Chamber D: Gas ring: 30-Port NORCAL Gate valve EDWARDS STP-XH3203P Turbo pump Standard upper chamber Chamber A, B, D: Top / Side / Bias SPECTRUM 11002 / SPECTRUM 11002 / SPECTRUM B-10513 Gas panel exhaust: Bottom MFC Type: 8165C Multiflo VERIFLO Valves MILLIPORE Filters NTU Power rack Missing parts: FI Robot paddle RPC Turbo throttle valve assembly Channel boards ESC Power supply: 208 V, 320 A, 240 A 2007 vintage.
MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Ultima X est un réacteur PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) conçu pour déposer des couches minces de diélectrique et de métal sur des substrats pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs. C'est un équipement de procédé par lots qui améliore le débit de production et les rendements en minimisant la manipulation du substrat. AMAT Ultima X utilise une variété de gaz de procédé, de liquides et de précurseurs solides pour déposer une gamme complète de matériaux à couches minces. Sa vitesse de dépôt uniforme et son contrôle précis de la température sont essentiels à la fabrication de circuits intégrés de haute qualité. Le système comporte deux composants : la chambre du réacteur et la chambre de source de plasma. MATÉRIAUX APPLIQUÉS La chambre du réacteur Ultima X est de forme cylindrique et en alliage d'aluminium. Il contient un suscepteur, un mandrin chauffant monté sur un plateau tournant, sur lequel les substrats peuvent être chargés et mesurés avec précision tout en maintenant la température de l'unité constante. La chambre source de plasma est située au-dessus de la chambre et fonctionne à une pression de vide de 10-4 torr. Il fournit de l'énergie RF, qui est utilisée pour générer un environnement très réactif, permettant une nucléation efficace des molécules de gaz sur le suscepteur, entraînant un dépôt en couches minces. Ultima X peut également être utilisé en conjonction avec les procédés P-CVD (Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition) et RTP (Rapid Thermal Processing) pour créer des structures de film avec une plage d'épaisseur de 1-5µm. Il est également capable de réaliser des procédés de recuit et de diffusion. En plus de sa fonctionnalité, AMAT/APPLIED MATERIALS Ultima X offre une température, un vide et une uniformité plasmatiques exceptionnels. C'est une machine puissante, polyvalente et économique conçue pour offrir un dépôt en couche mince performant. Il est idéal pour une utilisation dans une variété d'applications de semi-conducteurs et gagne en popularité en tant qu'alternative rentable aux systèmes CVD traditionnels.
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