Occasion GRAPHENE SQUARE TCVD-100A #293805641 à vendre en France

ID: 293805641
Thermal CVD System Safety cabinet Temperature: ~1100°C Testing uniformity: ≤±3% (3) Heating zones Chamber size, 4" Pumping unit: Rotary pump: Oil type Dry scroll pump Additional mechanical turbo pump Gas control unit: (4) Mass Flow Controllers (MFC).
GRAPHENE SQUARE TCVD-100A est un réacteur de pointe de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) conçu pour la synthèse de films graphènes de haute qualité avec un contrôle précis et une uniformité exceptionnelle. Ce réacteur de pointe est équipé de caractéristiques de pointe qui permettent aux chercheurs et aux industries de produire des films graphiques de grande surface pour un large éventail d'applications, y compris l'électronique, le stockage d'énergie, les capteurs, et plus encore. TCVD-100A réacteur fonctionne selon les principes du CVD thermique, une méthode bien établie pour synthétiser des films de graphène sur divers matériaux de substrat. Le procédé consiste à décomposer un gaz précurseur carboné, tel que le méthane ou l'éthylène, à haute température pour former des couches de graphène à la surface du substrat. Le réacteur GRAPHENE SQUARE TCVD-100A est conçu pour offrir un environnement stable et contrôlé pour la croissance de films graphènes de haute qualité avec des propriétés exceptionnelles. Un des points forts de TCVD-100A réacteur est sa capacité de fonctionnement à haute température, permettant la croissance de films de graphène à des températures allant jusqu'à 1000 degrés Celsius. Cette plage de température élevée est cruciale pour favoriser la décomposition rapide des molécules de gaz précurseurs et la formation de couches de graphène de haute qualité à la surface du substrat. En outre, le réacteur est équipé d'un système de contrôle de température de précision qui assure un chauffage uniforme sur tout le substrat, ce qui permet d'obtenir une épaisseur et une qualité constantes du film de graphène. Le réacteur GRAPHENE SQUARE TCVD-100A présente une conception de chambre verticale qui facilite la répartition uniforme des gaz précurseurs et de la chaleur dans tout le volume du réacteur. Cette conception assure une dynamique efficace du flux gazeux et minimise les réactions en phase gazeuse pouvant conduire à la formation d'impuretés dans les films graphéniques. La configuration verticale de la chambre permet également un accès facile au support du substrat pour le chargement et le déchargement des échantillons, ainsi qu'un entretien et un nettoyage commodes des composants du réacteur. Par ailleurs, TCVD-100A réacteur est équipé d'un système sophistiqué de refoulement de gaz qui permet un contrôle précis des débits et des compositions des gaz précurseurs. Ce contrôle précis est essentiel pour optimiser le processus de croissance du graphène et obtenir les propriétés de film souhaitées, telles que l'épaisseur, la cristallinité et la conductivité. Le réacteur permet l'utilisation de divers gaz précurseurs et mélanges gazeux, donnant aux chercheurs la flexibilité d'explorer différentes conditions de croissance et d'adapter les films graphéniques pour des applications spécifiques. En plus de ses fonctions avancées de manutention thermique et de gaz, le réacteur GRAPHENE SQUARE TCVD-100A est conçu pour un fonctionnement et un entretien faciles. Le système de contrôle du réacteur est convivial et intuitif, ce qui permet aux chercheurs d'établir les paramètres de croissance et de surveiller le processus en temps réel. La chambre du réacteur est constituée de matériaux de haute qualité pouvant résister à des températures élevées et à des gaz corrosifs, garantissant ainsi une durabilité et une fiabilité à long terme. Dans l'ensemble, le réacteur TCVD-100A est un outil puissant pour les chercheurs et les industries qui cherchent à produire des films graphéniques de haute qualité aux propriétés exceptionnelles. Sa conception avancée, sa capacité de fonctionnement à haute température, son contrôle précis des gaz et sa facilité d'utilisation en font un choix idéal pour des applications de synthèse de graphène dans un large éventail de domaines.
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