Occasion LAM RESEARCH Inova #293777887 à vendre en France

Fabricant
LAM RESEARCH
Modèle
Inova
ID: 293777887
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2011
PVD System, 12" Process: Ta, Cu 2011 vintage.
RECHERCHE LAM Inova est un système de réacteur à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) de pointe principalement utilisé pour les procédés de dépôt en couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs. Outil essentiel dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés, le réacteur Inova offre un contrôle précis des paramètres de dépôt des films, permettant la création de films de haute qualité avec une excellente homogénéité et reproductibilité. Au cœur du réacteur LAM RESEARCH Inova est sa conception innovante, qui intègre des techniques avancées de génération de plasma et des mécanismes de contrôle de la température pour assurer des conditions optimales de croissance du film. La chambre du réacteur est généralement en matériaux de haute pureté tels que le quartz ou l'acier inoxydable pour minimiser la contamination et maintenir un environnement de traitement propre essentiel à la production de semi-conducteurs. Une caractéristique clé du réacteur Inova est sa capacité à produire du plasma haute densité à l'aide de l'énergie radiofréquence (RF), ce qui est crucial pour améliorer les réactions chimiques impliquées dans le dépôt de couches minces. La source de plasma, souvent une source d'alimentation RF couplée capacitive, ionise les gaz de procédé introduits dans la chambre, créant un environnement très réactif propice à la croissance du film. Le contrôle précis des paramètres plasmatiques, tels que les débits de gaz, la puissance RF et la pression, permet aux utilisateurs d'adapter les propriétés du film aux exigences spécifiques. Le contrôle de la température est un autre aspect critique du réacteur Inova de LAM RESEARCH, car il influence directement la cinétique de croissance et la structure des films déposés. Le réacteur est équipé d'un système de chauffage sophistiqué, souvent à base de lampes infrarouges ou d'éléments chauffants résistifs, pour maintenir une température uniforme à travers la surface du substrat. En outre, la chambre du réacteur peut être équipée d'un système de surveillance de la température pour assurer un contrôle serré de la température de dépôt, améliorant encore la qualité et la reproductibilité du film. Le réacteur Inova supporte un large éventail de procédés de dépôt, notamment le nitrure de silicium, l'oxyde de silicium et les films de carbone amorphe. Ces films trouvent des applications dans divers dispositifs semi-conducteurs, tels que des interconnexions, des couches de passivation et des films isolants, où des propriétés telles que la constante diélectrique, l'indice de réfraction et le niveau de contrainte sont cruciales pour les performances du dispositif. En termes d'évolutivité et de débit, le réacteur LAM RESEARCH Inova est conçu pour accueillir plusieurs substrats simultanément, permettant le traitement par lots pour augmenter la productivité. La chambre du réacteur peut comporter des porte-plaquettes ou des plateaux qui maintiennent plusieurs substrats, permettant un dépôt efficace de couches minces à plus grande échelle tout en maintenant une qualité de film constante sur toutes les plaquettes traitées. En conclusion, le réacteur Inova se distingue comme un outil polyvalent et fiable pour le dépôt de couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs. Sa conception avancée, ses mécanismes de contrôle précis et son évolutivité en font un atout indispensable pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à obtenir des performances et une fiabilité de pointe grâce à la technologie de pointe des films minces.
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