Occasion LAM RESEARCH / NOVELLUS Altus #9098899 à vendre en France

LAM RESEARCH/NOVELLUS Altus est un réacteur multi-chambre de dépôt chimique en phase vapeur de plasma sous vide (VPCVD) qui est utilisé dans la fabrication de circuits intégrés et de dispositifs semi-conducteurs. Le réacteur est adapté à la production en grand volume de structures avancées et performantes, et est capable de déposer des couches minces d'épaisseur extrêmement uniforme, ce qui en fait un choix idéal pour la fabrication de dispositifs micro-électroniques de pointe. Le réacteur est composé d'un certain nombre de chambres reliées par une ligne de transport. Les chambres comprennent une chambre de pré-nettoyage, une chambre CVD, une chambre de gravure, une chambre de refroidissement et une chambre de dépôt. La chambre de pré-nettoyage utilise une séquence de chauffage spéciale qui aide à éliminer toute saleté et oxydation des surfaces des plaquettes par pulvérisation. On procède ensuite à la chambre CVD où des réactifs comprenant soit des monomères, soit des précurseurs sont déposés à la surface de la plaquette. On procède ensuite à un cycle de gravure plasma qui élimine l'excès de composés chimiques de la surface de la plaquette et permet d'obtenir une forme préférée. La chambre de refroidissement est configurée pour équilibrer la température de la plaquette avant transfert vers la chambre de dépôt. La chambre de dépôt est celle où se déroule le processus primaire de dépôt en couches minces. Ceci est obtenu en faisant passer un mélange de gaz chimiquement actifs exothermiques sur la surface de la plaquette. Le mélange est continuellement surveillé et maintenu, tandis que la température, la pression et d'autres conditions sont strictement surveillées pour garantir le dépôt optimal. Le dépôt peut avoir lieu à submicron jusqu'à des dizaines de microns d'épaisseur selon la structure souhaitée. NOVELLUS Altus est capable de performances fiables et reproductibles, reproduisant un contrôle de processus serré avec de faibles variations d'uniformité et une excellente uniformité d'épaisseur jusqu'à une résolution inférieure à 15nm. Sa conception par lots hautement automatisée permet un haut débit de production avec un minimum de temps d'arrêt. Le réacteur dispose également d'un contrôle plasma exceptionnel et est conçu pour ouvrir la voie à des architectures et structures de dispositifs avancées telles que FinFET, couches contraintes, structures SOI, et plus encore.