Occasion LAM RESEARCH / NOVELLUS Concept 2 Sequel-X #9293855 à vendre en France

LAM RESEARCH / NOVELLUS Concept 2 Sequel-X
ID: 9293855
CVD System Parallel plate type: PECVD (SiO (PSIO)).
LAM RESEARCH/NOVELLUS Concept 2 Sequel-X est un concept avancé dans la conception de réacteurs semi-conducteurs. C'est un outil unique de gravure de plasma qui combine la puissance et la capacité d'une gravure de plasma classique avec un processus unique de gravure sans barrierless. Ceci le rend idéal pour répondre aux exigences de lithographie les plus exigeantes pour la fabrication de dispositifs agressifs et de haute densité. Il offre également une flexibilité et une évolutivité de processus sans précédent. Le réacteur NOVELLUS Concept 2 Sequel-X est conçu pour offrir une combinaison inhabituellement équilibrée de caractéristiques et de flexibilité - un mélange de bonne capacité de gravure et de capacité améliorée sur une gamme de processus. Il dispose d'une capacité plasma à double fréquence pour permettre un traitement séparé des ions agressifs de ceux qui fourniront une gravure plus uniforme avec un meilleur contrôle de la profondeur et de la forme de gravure. En tant que tel, il est extrêmement polyvalent et très adaptatif à différentes applications et une gamme de surfaces métalliques et diélectriques. Le réacteur Sequel-X est équipé d'une technologie de refroidissement propriétaire et peut être mis en place pour traiter des températures de substrat allant jusqu'à 400 ° C Cette gestion thermique de pointe assure une répartition équilibrée de la température dans toute la chambre, éliminant les points chauds et les bords chauds. Il permet également d'allonger les délais de production, d'accroître la productivité et d'améliorer les rendements des procédés. Quelques autres caractéristiques clés de LAM RESEARCH Concept 2 Sequel-X comprennent son générateur de champ magnétique double breveté, capable de contrôler indépendamment la densité d'ions et la distribution d'énergie ; sa conception de plaque d'extrémité flottante intégrée, qui stabilise la distribution du plasma, minimisant les variations dans l'ensemble de la chambre ; et son générateur RF haute fréquence, qui permet une vitesse de gravure accrue jusqu'à 2µm de silicium. En résumé, le Concept 2 Sequel-X est une conception de réacteur vraiment révolutionnaire, offrant une flexibilité de procédé et une évolutivité de pointe adaptées aux applications les plus exigeantes. Sa technologie de refroidissement avancée, son plasma double fréquence, son générateur à double champ magnétique, sa conception intégrée de plaques d'extrémité flottantes et son générateur RF haute fréquence lui permettent de répondre aux exigences de lithographie les plus exigeantes tout en offrant une efficacité de processus sans précédent.
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