Occasion NOVELLUS CONCEPT 2 Dual Sequel Express #9299473 à vendre en France

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ID: 9299473
System Dual EPD MC3 Module controller Heater: 19-00154-01 Clean method: Insitu clean (C2F6) ADVANCED ENERGY RFG 5500 HF Generator (Model no: 315051-115) ADVANCED ENERGY PDX 1400 LF Generator (Model no: 3156024-141B/C) Al 3003 Showerhead (Model no: 16-033931-00) RF Match: Mercury 3013NV (Model no: 3150274-003/008) Throttle valve type: MKS (60-126668-00) Gate valve type: HVA (34-260166-00) Process gauge: MKS (627A11TBC) ATM Gauge: MKS (627A13TBC) ISO Box: HIB Board (04-355636-00) High reliability ferrofluidic spindle (02-106507-00) ADM RF Switch kit Clean method Insitu clean (C2F6) ILDS for Chemical-TEOS supply system Gas box: MFC Model: Aera FC-7800CD O2 20 SLM C2F6 2 SLM SiH4 1 SLM N2A 5000 SCCM N2B 10 SLM N2O 20 SLM N2O_AUX 1 SLM PH3 2 SLM NH3 10 SLM.
NOVELLUS CONCEPT 2 Dual Sequel Express Reactor est un équipement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) utilisé pour déposer des couches ultra minces de matériaux, tels que des oxydes et des nitrures, sur une gamme de substrats. L'appareil est équipé de deux chambres de traitement Sequel distinctes, chacune comprenant quatre modules de processus Dual EndurTM. Les chambres Sequel sont conçues pour un traitement à haut débit, permettant aux utilisateurs de déposer des couches minces à des vitesses remarquablement rapides par rapport à d'autres systèmes de dépôt chimique en phase vapeur. Le Concept 2 offre une grande polyvalence, permettant aux utilisateurs de traiter des substrats jusqu'à 200 × 200 mm avec plusieurs précurseurs en un seul lot. Les modules de procédé Dual Endur offrent un contrôle uniforme du dépôt et du débit, et disposent d'un revêtement diamant innovant qui garantit une longue durée de vie et des années de fonctionnement fiable. Le procédé de dépôt de précision est très reproductible, assurant une épaisseur de couche constante sur toute la surface du substrat. Le Concept 2 est également équipé d'un système de serrure modulaire, permettant un chargement et un déchargement rapides et faciles. L'unité dispose d'un verrouillage de charge basse pression, permettant aux matériaux de passer entre le vide et la pression ambiante sans avoir besoin d'une source d'azote supplémentaire. Les serrures de charge sont conçues pour accueillir une variété de supports de substrat, allant des plaquettes simples aux cassettes à cadre plein. En termes de contrôle des processus, le Concept 2 utilise un certain nombre de technologies de pointe, telles qu'une interface utilisateur écran tactile LCD, un éditeur de recettes automatisé, et la surveillance en temps réel de la température et de la pression. L'appareil offre également une connectivité Ethernet, permettant aux utilisateurs d'accéder à la machine et de la contrôler à distance via un réseau informatique. Dans l'ensemble, CONCEPT 2 Dual Sequel Express Reactor constitue un choix idéal pour le dépôt efficace et précis de couches minces sur différents substrats. Grâce à son débit élevé et à son contrôle supérieur, l'appareil est bien adapté aux environnements de recherche et de production, ce qui donne des résultats fiables tout en réduisant les coûts et en économisant de l'énergie.
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