Occasion NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S #9097741 à vendre en France

ID: 9097741
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1996
CVD System, 6" Loadlock baratron: Tyran general Loadlock dry pump: EDWARDS QDP40 Slit valve: SMC L-motion TM Dry pump: EDWARDS QDP40 TM Throttle valve: Tyran general TM Baratron model: Tyran general TM Robot: MTR 5 TM Robot blade: Metal Wafer sensor: Existence Host interface: SECS Module controller: MC1 12" LCD Front monitor Module A: Shrink, STI/IMD Manometer 1: Tyran general Manometer 2: Tyran general TMP Pump right: TG1113MBW-09 TMP Pump left: Osaka vac TG1113M TMP Controller: TD 701/1101 Throttle valve: VAT 14046-PE24-0005 HF Generator: ENI OEM-50N-11601 LF Generator: ENI CLF-5000/400 Module dry pump: EDWARDS QDP80 Pump booster: EDWARDS EH1200 RF Match: TRAZAR AMU10E-1 Chamber gas box: MFC 1 Ar 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 2 O2 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 3 NF3 1 SLM BROOKS 5964 MFC 4 SIH4 200 SCCM BROOKS 5964 MFC 5 SIF4 200 SCCM BROOKS 5964 Module B: Shrink, STI/IMD Manometer 1: Tyran general Manometer 2: Tyran general TMP Pump right: TG1113MBW-09 TMP Pump left: Osaka vac TG1113M TMP Controller: TD 701/1101 Throttle valve: VAT 14046-PE24-0005 HF Generator: ENI OEM-50N-11601 LF Generator: ENI CLF-5000/400 Module dry pump: EDWARDS QDP80 Pump booster: EDWARDS EH1200 RF Match: TRAZAR AMU10E-1 Chamber gas box: MFC 1 Ar 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 2 O2 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 3 NF3 1 SLM BROOKS 5964 MFC 4 SIH4 200 SCCM BROOKS 5964 MFC 5 SIF4 200 SCCM BROOKS 5964 DLCM Gas MFC MFC1: UPC, Ar/He, 1 SLM, BROOKS 5866 RT MFC2: UPC, Ar/He, 1 SLM, BROOKS 5866 RT MFC3: Ar/He, 500 SLM, BROOKS 5964 SMIF Interface: No PET Module: No UPS Power: 120 V, 3 Ph, 3 wires Main system: 208 V, 3 Ph, 5 wires Currently de-installed 1996 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor est une chambre de dépôt chimique utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. Il est capable de fournir des procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à basse et haute température, permettant le traitement d'une large gamme de films diélectriques, oxynitrures et métalliques. La conception à double chambre permet aux utilisateurs d'exécuter deux applications (haute et basse température) simultanément ou indépendamment, permettant la délivrance et le dépôt de précurseurs par lots tout en maximisant le débit du procédé. CONCEPT 2 Le réacteur Dual Speed-S dispose d'une chambre CVD à haute température polyvalente qui peut traiter des films diélectriques et métalliques à des températures allant jusqu'à 1000 ° C Il présente aussi une chambre de CVD de température basse qui peut traiter oxynitride et films diélectriques aux températures jusqu'à 450 ˚C. Les deux chambres sont conçues pour une utilisation avec une variété de précurseurs de départ, et disposent de multiples options de post-traitement de recette. NOVELLUS CONCEPT 2 Le réacteur Dual Speed-S est construit avec des composants technologiques avancés et robustes qui fournissent précision, échantillonnage et contrôle. Les utilisations de chambre de CVD de température basses ont fait breveter la technologie d'injection forwardDirect™, qui permet la déposition plus rapide et plus efficace, aussi bien que la déposition de film uniforme et les hauts rendements. La chambre CVD haute température est conçue avec un collecteur de gaz unique conçu pour un contrôle de température serré et un dépôt uniforme sur une large zone. Une autre caractéristique de CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor est ses processus automatisés. Le système de convoyeur robotique breveté permet au réacteur de déplacer automatiquement des plaquettes, des substrats, des matériaux et des composants à travers le système, tandis que le bras d'assistance robotique assure un chargement précis et uniforme de la chambre de prétraitement et des cuves de traitement. La chambre de pré-traitement permet également un traitement de blanchet avant le chargement des substrats dans la cuve de procédé, afin d'assurer un dépôt de film uniforme. Dans l'ensemble, NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor est une chambre de dépôt chimique fiable, efficace et polyvalente. La capacité de réaliser des procédés CVD à basse et haute température en fait le choix idéal pour une variété de procédés de fabrication de semi-conducteurs. Ses composantes technologiques avancées, processus automatisés et technologie d'injection forwardDirect™ fournissent une opération de haut rendement et exacte, uniforme.
Il n'y a pas encore de critiques