Occasion NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S #9097741 à vendre en France
URL copiée avec succès !
Appuyez sur pour zoomer
ID: 9097741
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1996
CVD System, 6"
Loadlock baratron: Tyran general
Loadlock dry pump: EDWARDS QDP40
Slit valve: SMC L-motion
TM Dry pump: EDWARDS QDP40
TM Throttle valve: Tyran general
TM Baratron model: Tyran general
TM Robot: MTR 5
TM Robot blade: Metal
Wafer sensor: Existence
Host interface: SECS
Module controller: MC1
12" LCD Front monitor
Module A: Shrink, STI/IMD
Manometer 1: Tyran general
Manometer 2: Tyran general
TMP Pump right: TG1113MBW-09
TMP Pump left: Osaka vac TG1113M
TMP Controller: TD 701/1101
Throttle valve: VAT 14046-PE24-0005
HF Generator: ENI OEM-50N-11601
LF Generator: ENI CLF-5000/400
Module dry pump: EDWARDS QDP80
Pump booster: EDWARDS EH1200
RF Match: TRAZAR AMU10E-1
Chamber gas box:
MFC 1 Ar 500 SCCM BROOKS 5964
MFC 2 O2 500 SCCM BROOKS 5964
MFC 3 NF3 1 SLM BROOKS 5964
MFC 4 SIH4 200 SCCM BROOKS 5964
MFC 5 SIF4 200 SCCM BROOKS 5964
Module B: Shrink, STI/IMD
Manometer 1: Tyran general
Manometer 2: Tyran general
TMP Pump right: TG1113MBW-09
TMP Pump left: Osaka vac TG1113M
TMP Controller: TD 701/1101
Throttle valve: VAT 14046-PE24-0005
HF Generator: ENI OEM-50N-11601
LF Generator: ENI CLF-5000/400
Module dry pump: EDWARDS QDP80
Pump booster: EDWARDS EH1200
RF Match: TRAZAR AMU10E-1
Chamber gas box:
MFC 1 Ar 500 SCCM BROOKS 5964
MFC 2 O2 500 SCCM BROOKS 5964
MFC 3 NF3 1 SLM BROOKS 5964
MFC 4 SIH4 200 SCCM BROOKS 5964
MFC 5 SIF4 200 SCCM BROOKS 5964
DLCM Gas MFC
MFC1: UPC, Ar/He, 1 SLM, BROOKS 5866 RT
MFC2: UPC, Ar/He, 1 SLM, BROOKS 5866 RT
MFC3: Ar/He, 500 SLM, BROOKS 5964
SMIF Interface: No
PET Module: No
UPS Power: 120 V, 3 Ph, 3 wires
Main system: 208 V, 3 Ph, 5 wires
Currently de-installed
1996 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor est une chambre de dépôt chimique utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. Il est capable de fournir des procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à basse et haute température, permettant le traitement d'une large gamme de films diélectriques, oxynitrures et métalliques. La conception à double chambre permet aux utilisateurs d'exécuter deux applications (haute et basse température) simultanément ou indépendamment, permettant la délivrance et le dépôt de précurseurs par lots tout en maximisant le débit du procédé. CONCEPT 2 Le réacteur Dual Speed-S dispose d'une chambre CVD à haute température polyvalente qui peut traiter des films diélectriques et métalliques à des températures allant jusqu'à 1000 ° C Il présente aussi une chambre de CVD de température basse qui peut traiter oxynitride et films diélectriques aux températures jusqu'à 450 ˚C. Les deux chambres sont conçues pour une utilisation avec une variété de précurseurs de départ, et disposent de multiples options de post-traitement de recette. NOVELLUS CONCEPT 2 Le réacteur Dual Speed-S est construit avec des composants technologiques avancés et robustes qui fournissent précision, échantillonnage et contrôle. Les utilisations de chambre de CVD de température basses ont fait breveter la technologie d'injection forwardDirect™, qui permet la déposition plus rapide et plus efficace, aussi bien que la déposition de film uniforme et les hauts rendements. La chambre CVD haute température est conçue avec un collecteur de gaz unique conçu pour un contrôle de température serré et un dépôt uniforme sur une large zone. Une autre caractéristique de CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor est ses processus automatisés. Le système de convoyeur robotique breveté permet au réacteur de déplacer automatiquement des plaquettes, des substrats, des matériaux et des composants à travers le système, tandis que le bras d'assistance robotique assure un chargement précis et uniforme de la chambre de prétraitement et des cuves de traitement. La chambre de pré-traitement permet également un traitement de blanchet avant le chargement des substrats dans la cuve de procédé, afin d'assurer un dépôt de film uniforme. Dans l'ensemble, NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor est une chambre de dépôt chimique fiable, efficace et polyvalente. La capacité de réaliser des procédés CVD à basse et haute température en fait le choix idéal pour une variété de procédés de fabrication de semi-conducteurs. Ses composantes technologiques avancées, processus automatisés et technologie d'injection forwardDirect™ fournissent une opération de haut rendement et exacte, uniforme.
Il n'y a pas encore de critiques