Occasion NOVELLUS Concept 2 Dual Speed #9206614 à vendre en France

Le réacteur à double vitesse NOVELLUS Concept 2 est un équipement avancé de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) conçu pour permettre le dépôt d'une large gamme de matériaux à couches minces sur des plaquettes et des substrats. Le système est conçu pour fournir des performances de débit élevées, réduire les temps de cycle de la chambre de réaction et permettre le dépôt d'une variété de matériaux sous contrôle précis du procédé. L'unité utilise deux vitesses de chambre de réaction, technologie à double vitesse, qui est destinée à permettre la réalisation à la fois de capacités de dépôt de matériaux à haut débit et flexibles. Les vitesses de la chambre de réaction sont optimisées pour chaque matériau de dépôt afin d'atteindre une épaisseur de dépôt optimale et des résultats d'uniformité. Le mode haute vitesse fonctionne le mieux pour des procédés tels que le dépôt de matériaux durs qui ne nécessitent pas un long temps de cycle de la chambre de réaction. Le mode basse vitesse est conçu pour être utilisé pour le dépôt de matériaux en couches minces nécessitant un contrôle précis du dépôt. La machine utilise un choix d'options de programmation qui peuvent être utilisées pour optimiser les temps de cycle de processus : débit maximum, charge infinie, ou programmation cyclique. L'option de débit maximal est destinée à optimiser les volumes de production en permettant le plus long temps de cycle de la chambre de réaction disponible. L'option de charge infinie est conçue pour permettre l'optimisation de l'uniformité et de l'homogénéité du substrat sur l'ensemble de la plaquette en utilisant le plus court cycle de la chambre de réaction disponible. Pendant ce temps, l'option d'ordonnancement cyclique peut être utilisée pour déposer une variété de couches minces en une seule fois, permettant une commutation rapide entre les matériaux de dépôt. L'outil est encore amélioré par ses composants RF à longue durée de vie, qui sont conçus pour offrir une longue durée de vie du processus. L'actif utilise également des configurations de chambre avancées et des contrôles de processus pour permettre la flexibilité dans le fonctionnement du modèle, tout en maintenant la cohérence du processus. Enfin, l'équipement permet l'utilisation d'un large éventail de composants et de procédures supplémentaires, tels que le nettoyage in situ des chambres et les traitements de surface des substrats, afin d'optimiser le processus de dépôt en couches minces. En tirant parti de la technologie à double vitesse du concept 2, les établissements de production de plaquettes et de substrats peuvent s'attendre à bénéficier d'une capacité accrue de dépôt de matériaux, d'une réduction des temps de cycle et d'un rendement accru dans une grande variété de procédés de dépôt en couches minces. Ce système avancé de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma est conçu pour garantir que les utilisateurs sont en mesure de fournir un niveau accru de capacité de dépôt en couches minces avec une meilleure uniformité de débit et de processus.