Occasion NOVELLUS CONCEPT 2 #9004475 à vendre en France
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ID: 9004475
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2007
CVD system, 8"
Dual-Speed-S
SiO2 Process chamber
Gas configuration:
1 Ar 500 sccm
2 O2 500 sccm
3 NF3 1 slm
4 SiH4 200 sccm
5 He 500 sccm
8 H2 2 slm
MFC:
Aera/FC-7800CD
NC, Metal Seals
1/4”MVCR, 9pin
D-Type Conn
10μin Ra
(2) SPEED-S Module (STI):
Module Controller
Reactor Chamber
Gas Box
Exhaust System
Pressure Measurement System
LPB (Local Power Box)
RF Supply & Output System
APC (Auto Pressure Controller)
Vent N2 Supply System
He Supply System for ESC
Temperature Measurement (NTM3)
Cooling Water Supply System
Compressed Air Supply System
DLCM-X Module (Hi/Low Type) with SMIF:
Standard SMIF
TM Aligner
System Controller (UI I/F)
Module Controller
(2) Load-lock Chambers
Transfer Chamber
Transfer Robot (Indexer for L/L x 2, Mag for TM x1)
Slit Valve
Turbo Pump (TMH260)
Purge Gas, Vent Gas Supply System
Cooling Water Supply System
Compressed Air Supply System
Exhaust System
Pressure Measurement System
Cooling Station
LPB (Local Power Box)
APC (Auto Pressure Controller)
RF Generator
HF Generator: (2) RFG 5500/AE
LF Generator: CLF-5000/COMDEL
Module single service drop, MSSD
Δ-Y Transformer (Type 3-628941, 100KVA)
UPS (“NemieLambda”PS-3210, “Hakkosha” 3WTC-10K)
(2) SMIF Robots (Asyst)
Missing / defects:
Ch-1: HF generator failure, No HF Matching, No Coaxial Cable
Ch-2: Isolation valve failure (100mTorr)
2000 vintage.
Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 est un équipement avancé de fabrication de semi-conducteurs conçu pour améliorer la qualité et l'efficacité de la production. C'est un équipement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) qui est utilisé pour déposer des couches minces de matériaux, tels que du silicium polycristallin, sur une plaquette. Ce procédé de dépôt est une étape essentielle dans la réalisation de dispositifs de circuits intégrés tels que des microprocesseurs. CONCEPT 2 est un outil de précision développé par NOVELLUS Systems. Il est doté d'un procédé uniforme de dépôt de silicium à haute résolution, ainsi que de capacités de gravure multicouche. Il utilise la technologie avancée des chambres à plasma, permettant d'achever simultanément les processus de gravure et de dépôt, ainsi que de contrôler complètement la composition et les conditions de la chambre. On obtient ainsi des vitesses de dépôt et une épaisseur de film extrêmement uniformes, ce qui élimine la nécessité d'étapes de réglage supplémentaires. Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 utilise un générateur haute fréquence et des bobines d'induction spécialisées pour générer un plasma uniforme de grande surface. Le plasma est ensuite passé dans une chambre à plasma multi-étages, où il alimente les précurseurs délivrés dans la chambre. L'association du plasma énergétique et des chimistries réagit pour réaliser le film de silicium désiré sur la plaquette. Ceci élimine la nécessité de revêtements magnétron pulsés très spécialisés et coûteux. Le réacteur CONCEPT 2 est équipé d'un système de processus piloté par ordinateur et intègre des capacités diagnostiques avancées et un contrôle de la température. Une atmosphère de gaz inerte est utilisée pour maintenir des niveaux de pureté dans la chambre elle-même, et l'unité de vide a un temps de réponse extrêmement rapide, permettant des ajustements rapides en cours de processus. La machine d'acquisition de données est également capable de surveiller la puissance, de mesurer la pression de la chambre et de mesurer la température, assurant ainsi le maintien de l'environnement optimal. Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 offre une homogénéité et un contrôle de film exceptionnels, permettant un contrôle précis des paramètres du processus. Il en résulte des produits d'excellente qualité avec des rendements extrêmement élevés et des rendements d'unités utilisables. De plus, la capacité de produire plusieurs couches de dépôt en une seule fois rend le CONCEPT 2 extrêmement polyvalent. Cela en fait un excellent choix pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à augmenter leur efficacité de production et à réduire les déchets.
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