Occasion NOVELLUS CONCEPT 2 #9069052 à vendre en France
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ID: 9069052
Taille de la plaquette: 8"
CVD system, 8"
Includes:
Wafer shape: Flat
SMIF Interface: No
Aligner: No
System main power: 3-Ph, 5-wires, 208 V
Module A: Standard
Process A: Sio2
Module B: Standard
Process B: Sio2
TM Throttle valve: TYLAN
TM Robot type: MTR5
TM Robot blade: Ceramic
Wafer sensor: Existence
Loadlock baratro model: 275 Mini convectron
TM Baratron model: Tylan 100 Torr
EMO: Turn to release
DLCM IOC Version: 4.0
Module controller: MC1 P100
Front monitor: Side
Module A:
Chamber type: Standard
Module controller: MC1
Process type: SIO2/SIN
Manometer: Mykrolis, 10 Torr
Manometer: Tylan 1000 Torr
Process clean type: In-Situ
HF Generator: OEM-28
Heater block type: 6-Station
Endpoint option: N/A
Spindle top plate type: (1) Piece
Spindle type: Ferroflo seal
Throttle valve: Tylan
RF Matcher: AMU2-1
IOC Version:
IOC0: 4.1
IOC1: 4.1
IOC2: N/A
LF Generator: PL-2HF
Foreline gate valve: VAT
Chamber gas box:
MFC # | Gas name | MFC size | MFC model
MFC B, N2, 10 SLM, Brooks 5964
MFC A, N2O, 20 SLM, Brooks 5964
MFC 9, C3F8, 2 SLM, Brooks 5964
MFC 8, O2, 3 SLM, Brooks 5964
MFC 6, NH3, 10 SLM, Brooks 5964
MFC 2, N2, 5 SLM, Brooks 5964
MFC 1, SIH4, 1 SLM, Unit UFC 8160
Module B:
Chamber type: Standard
Module controller: MC1
Process type: SIO2/SIN
Manometer: Mykrolis, 10 Torr
Manometer: Tylan 1000 Torr
Process clean type: In-Situ
HF Generator: OEM-28
Heater block type: 6-Station
Endpoint option: N/A
Spindle top plate type: (1) Piece
Spindle type: Ferroflo seal
Throttle valve: Tylan
RF Matcher: AMU2-1
IOC Version:
IOC0: 4.1
IOC1: 4.1
IOC2: N/A
LF Generator: PL-2HF
Foreline gate valve: VAT
Chamber gas box:
MFC # | Gas name | MFC size | MFC model
MFC B, N2, 10 SLM, Brooks 5964
MFC A, N2O, 20 SLM, Brooks 5964
MFC 9, C3F8, 2 SLM, Brooks 5964
MFC 8, O2, 3 SLM, Brooks 5964
MFC 6, NH3, 10 SLM, Brooks 5964
MFC 2, N2, 5 SLM, Brooks 5964
MFC 1, SIH4, 1 SLM, Unit UFC 8160.
Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 est un équipement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avec un procédé révolutionnaire qui a été conçu pour fournir des taux de dépôt élevés, des films de haute qualité, et une productivité et une fiabilité supérieures dans une plate-forme de dépôt de couche atomique (ALD). Les PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES du réacteur CONCEPT 2 sont les suivantes : contrôle du procédé des nanomètres pour le dépôt de couches minces ; des taux de dépôt élevés et une bonne qualité du film ; la capacité de contrôler avec précision l'environnement de dépôt, ce qui permet un contrôle total du procédé ; régulation avancée de la température du substrat et chauffage uniforme permettant des temps de débit élevés ; homogénéité et uniformité exceptionnelles. Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 a un taux de dépôt très élevé en raison de la petite taille de la chambre et d'un système de contrôle de recette exceptionnel qui permet de déposer avec précision un large éventail de matériaux tels que les polymères, les oxydes métalliques et les métaux. Le processus de dépôt commence par l'introduction du matériau source, le gaz. Ce gaz est introduit dans la chambre de réaction où se trouve le substrat. La chambre de réaction est ensuite pressurisée et chauffée à la température désirée. Ceci permet d'évaporer le matériau source puis de l'emporter par le vide. Le procédé de dépôt est alors régulé par l'unité avancée de contrôle du procédé. Cette machine peut contrôler les paramètres de réaction tels que la température, la pression, le débit de gaz etc. et peut les ajuster pour obtenir les résultats souhaités. Le dépôt uniforme de couches minces est obtenu grâce au chauffage très uniforme du substrat. Le réacteur CONCEPT 2 offre une excellente homogénéité thermique à l'intérieur de l'enceinte, assurant ainsi l'homogénéité de la température tout au long du processus réactionnel. Ceci assure une croissance homogène et des propriétés pelliculaires améliorées. Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 est également équipé d'un puissant outil post-processus qui permet un réglage précis de l'uniformité du film. Cet atout permet aux utilisateurs d'optimiser la formation de couches minces, en s'assurant que la couche produit répond aux exigences du produit. Ce modèle permet également aux utilisateurs de tester rapidement les recettes sans avoir à passer par le processus de chaque processus de dépôt. En conclusion, le réacteur CONCEPT 2 est un équipement CVD révolutionnaire qui a été conçu pour fournir des taux de dépôt élevés, des films de haute qualité et une productivité et fiabilité supérieures dans une plate-forme de dépôt de couche atomique (ALD). Il a un taux de dépôt élevé dû à la petite taille de la chambre et un système de contrôle de recette exceptionnel, tout en fournissant une excellente uniformité thermique dans la chambre pour assurer une croissance homogène et des propriétés de film améliorées. En outre, il dispose d'une puissante unité post-processus qui permet un réglage précis de l'uniformité des films, ce qui en fait la machine idéale pour le dépôt de couches minces.
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