Occasion NOVELLUS CONCEPT 2 #9069052 à vendre en France

Fabricant
NOVELLUS
Modèle
CONCEPT 2
ID: 9069052
Taille de la plaquette: 8"
CVD system, 8" Includes: Wafer shape: Flat SMIF Interface: No Aligner: No System main power: 3-Ph, 5-wires, 208 V Module A: Standard Process A: Sio2 Module B: Standard Process B: Sio2 TM Throttle valve: TYLAN TM Robot type: MTR5 TM Robot blade: Ceramic Wafer sensor: Existence Loadlock baratro model: 275 Mini convectron TM Baratron model: Tylan 100 Torr EMO: Turn to release DLCM IOC Version: 4.0 Module controller: MC1 P100 Front monitor: Side Module A: Chamber type: Standard Module controller: MC1 Process type: SIO2/SIN Manometer: Mykrolis, 10 Torr Manometer: Tylan 1000 Torr Process clean type: In-Situ HF Generator: OEM-28 Heater block type: 6-Station Endpoint option: N/A Spindle top plate type: (1) Piece Spindle type: Ferroflo seal Throttle valve: Tylan RF Matcher: AMU2-1 IOC Version: IOC0: 4.1 IOC1: 4.1 IOC2: N/A LF Generator: PL-2HF Foreline gate valve: VAT Chamber gas box: MFC # | Gas name | MFC size | MFC model MFC B, N2, 10 SLM, Brooks 5964 MFC A, N2O, 20 SLM, Brooks 5964 MFC 9, C3F8, 2 SLM, Brooks 5964 MFC 8, O2, 3 SLM, Brooks 5964 MFC 6, NH3, 10 SLM, Brooks 5964 MFC 2, N2, 5 SLM, Brooks 5964 MFC 1, SIH4, 1 SLM, Unit UFC 8160 Module B: Chamber type: Standard Module controller: MC1 Process type: SIO2/SIN Manometer: Mykrolis, 10 Torr Manometer: Tylan 1000 Torr Process clean type: In-Situ HF Generator: OEM-28 Heater block type: 6-Station Endpoint option: N/A Spindle top plate type: (1) Piece Spindle type: Ferroflo seal Throttle valve: Tylan RF Matcher: AMU2-1 IOC Version: IOC0: 4.1 IOC1: 4.1 IOC2: N/A LF Generator: PL-2HF Foreline gate valve: VAT Chamber gas box: MFC # | Gas name | MFC size | MFC model MFC B, N2, 10 SLM, Brooks 5964 MFC A, N2O, 20 SLM, Brooks 5964 MFC 9, C3F8, 2 SLM, Brooks 5964 MFC 8, O2, 3 SLM, Brooks 5964 MFC 6, NH3, 10 SLM, Brooks 5964 MFC 2, N2, 5 SLM, Brooks 5964 MFC 1, SIH4, 1 SLM, Unit UFC 8160.
Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 est un équipement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avec un procédé révolutionnaire qui a été conçu pour fournir des taux de dépôt élevés, des films de haute qualité, et une productivité et une fiabilité supérieures dans une plate-forme de dépôt de couche atomique (ALD). Les PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES du réacteur CONCEPT 2 sont les suivantes : contrôle du procédé des nanomètres pour le dépôt de couches minces ; des taux de dépôt élevés et une bonne qualité du film ; la capacité de contrôler avec précision l'environnement de dépôt, ce qui permet un contrôle total du procédé ; régulation avancée de la température du substrat et chauffage uniforme permettant des temps de débit élevés ; homogénéité et uniformité exceptionnelles. Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 a un taux de dépôt très élevé en raison de la petite taille de la chambre et d'un système de contrôle de recette exceptionnel qui permet de déposer avec précision un large éventail de matériaux tels que les polymères, les oxydes métalliques et les métaux. Le processus de dépôt commence par l'introduction du matériau source, le gaz. Ce gaz est introduit dans la chambre de réaction où se trouve le substrat. La chambre de réaction est ensuite pressurisée et chauffée à la température désirée. Ceci permet d'évaporer le matériau source puis de l'emporter par le vide. Le procédé de dépôt est alors régulé par l'unité avancée de contrôle du procédé. Cette machine peut contrôler les paramètres de réaction tels que la température, la pression, le débit de gaz etc. et peut les ajuster pour obtenir les résultats souhaités. Le dépôt uniforme de couches minces est obtenu grâce au chauffage très uniforme du substrat. Le réacteur CONCEPT 2 offre une excellente homogénéité thermique à l'intérieur de l'enceinte, assurant ainsi l'homogénéité de la température tout au long du processus réactionnel. Ceci assure une croissance homogène et des propriétés pelliculaires améliorées. Le réacteur NOVELLUS CONCEPT 2 est également équipé d'un puissant outil post-processus qui permet un réglage précis de l'uniformité du film. Cet atout permet aux utilisateurs d'optimiser la formation de couches minces, en s'assurant que la couche produit répond aux exigences du produit. Ce modèle permet également aux utilisateurs de tester rapidement les recettes sans avoir à passer par le processus de chaque processus de dépôt. En conclusion, le réacteur CONCEPT 2 est un équipement CVD révolutionnaire qui a été conçu pour fournir des taux de dépôt élevés, des films de haute qualité et une productivité et fiabilité supérieures dans une plate-forme de dépôt de couche atomique (ALD). Il a un taux de dépôt élevé dû à la petite taille de la chambre et un système de contrôle de recette exceptionnel, tout en fournissant une excellente uniformité thermique dans la chambre pour assurer une croissance homogène et des propriétés de film améliorées. En outre, il dispose d'une puissante unité post-processus qui permet un réglage précis de l'uniformité des films, ce qui en fait la machine idéale pour le dépôt de couches minces.
Il n'y a pas encore de critiques