Occasion NOVELLUS CONCEPT 3 Speed XT #9096022 à vendre en France

NOVELLUS CONCEPT 3 Speed XT
ID: 9096022
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2006
CVD System, 12", 2006 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 3 Speed XT est un réacteur avancé à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD). Il est conçu pour le dépôt de couches minces à partir d'un large éventail de matériaux dont le silicium polycristallin, le SiO2, le a-Si : H, le poly-SiGe, le Poly-SiON et le nitrure de silicium. Il est idéal pour les applications incluant la mémoire, les écrans plats et les piles multicouches. CONCEPT 3 Speed XT est équipé d'une source de résonance cyclotron électronique haute puissance (ECR) pour améliorer les performances et la qualité des couches minces déposées. Cette source utilise jusqu'à quatre fréquences hyperfréquences pour augmenter les températures critiques pour un procédé donné, ce qui à son tour améliore la qualité des films et élimine la nécessité d'un épuration supplémentaire des sources entre les procédés. NOVELLUS CONCEPT 3 Speed XT est également construit avec un équipement de manutention de plaquettes 16 stations, qui peut accueillir jusqu'à 120 plaquettes par course. Ce système est conçu pour le chargement et le déchargement efficaces et précis des plaquettes, et est capable de recevoir les plus grandes tailles de plaquettes. Il est également construit avec une unité de régulation de température uniforme afin de maintenir la température de dépôt optimale sur l'ensemble de la course. CONCEPT 3 Speed XT est également équipé d'une machine avancée de dépôt assistée par ion (IAD). Cet outil permet un contrôle précis des dopants dans les films afin de répondre aux spécifications exactes de chaque application sans avoir besoin de sources externes supplémentaires de dopants. L'atout IAD permet également de réduire la contamination des particules et d'assurer la répétabilité du processus. Enfin, NOVELLUS CONCEPT 3 Speed XT dispose d'une chambre à paroi chaude en graphite, qui contribue à améliorer l'uniformité de la température du substrat et à réduire l'érosion indésirable du film. Cette chambre est également capable de contrôler le débit d'O2 pour faciliter le dépôt de nitrure de silicium et d'autres empilements complexes. Toutes les caractéristiques du CONCEPT 3 Speed XT lui permettent d'offrir une qualité de film supérieure et un débit élevé dans les environnements de dépôt les plus complexes et les plus difficiles. Il s'agit d'une plate-forme idéale pour le dépôt de la dernière mémoire, de l'affichage et des piles multicouches pour un large éventail d'applications.
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